一种晶圆中金属离子分布识别方法、装置、电子设备和可读存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶圆中金属离子分布识别方法、装置、电子设备和可读存储介。晶圆中金属离子分布识别方法包括以下步骤：获取晶圆的灰度图像；根据所述灰度图像提取所述晶圆的N条灰度曲线，其中，所述晶圆由N个子区域构成，N为大于1的整数，所述子区域的形状为与所述晶圆的半径相同的扇形，且所述子区域的圆心和所述晶圆的圆心重合，每一所述灰度曲线对应一个所述子区域，且所述灰度曲线反应所述子区域沿半径方向的灰度变化；叠加所述灰度曲线获得所述晶圆的累加灰度曲线；检测所述累加灰度曲线的波峰，其中，所述累加灰度曲线的波峰对应所述晶圆中的金属离子分布环。本发明专利技术实施例能够提高金属离子分布情况的评估的准确性和一致性。高金属离子分布情况的评估的准确性和一致性。高金属离子分布情况的评估的准确性和一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆中金属离子分布识别方法、装置、电子设备和可读存储介质


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆中金属离子分布识别方法、装置、电子设备和可读存储介质。

技术介绍

[0002]半导体
中，通常需要对晶圆中的缺陷进行评价，其中，晶圆中金属离子的分布和检测是对晶圆缺陷评价的重要参考信息之一。相关技术中，通常对晶圆进行热处理，使得晶圆表面的金属离子显现出来，然后根据显现出的金属离子人工测量评估其中的金属离子分布，这种方式的效率较低，且不同工作人员的评估标准可能存在差异，即使同一工作人员对于不同晶圆的评估标准也可能不同，由此可见，相关技术中对于晶圆中金属离子分布情况的评估的准确性和一致性较低。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种晶圆中金属离子分布识别方法、装置、电子设备和可读存储介质，以解决相关技术中对于晶圆中金属离子分布情况的评估的准确性和一致性较低的问题。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种晶圆中金属离子分布识别方法，包括以下步骤：
[0005]获取晶圆的灰度图像；
[0006]根据所述灰度图像提取所述晶圆的N条灰度曲线，其中，所述晶圆由N个子区域构成，N为大于1的整数，所述子区域的形状为与所述晶圆的半径相同的扇形，且所述子区域的圆心和所述晶圆的圆心重合，每一所述灰度曲线对应一个所述子区域，且所述灰度曲线反应所述子区域沿半径方向的灰度变化；
[0007]叠加所述灰度曲线获得所述晶圆的累加灰度曲线；
[0008]检测所述累加灰度曲线的波峰，其中，所述累加灰度曲线的波峰对应所述晶圆中的金属离子分布环。
[0009]在一些实施例中，所述获取晶圆的灰度图像之后，所述方法还包括：
[0010]识别所述灰度图像中所述晶圆的边缘点；
[0011]根据所述边缘点拟合所述灰度图像中的晶圆所对应的区域。
[0012]在一些实施例中，根据所述灰度图像提取所述晶圆的N条灰度曲线，包括：
[0013]在第n个子区域内，沿着所述子区域的半径方向，获取各像素点的灰阶值以及所述像素点与所述子区域的圆心之间的距离，其中，n为大于或等于1且小于N的整数；
[0014]以所述像素点与所述子区域的圆心之间的距离为第一维度的坐标，以所述像素点的灰阶值为第二维度的坐标绘制第n个子区域的灰度曲线；
[0015]遍历所述N个子区域，获得与所述N个子区域对应的N条灰度曲线，其中，位于相邻
两个子区域的边界上的点的灰阶值包含于至多一条所述灰度曲线。
[0016]在一些实施例中，叠加所述灰度曲线获得所述晶圆的累加灰度曲线，包括：
[0017]以所述第一维度的坐标为基准，将所述N条灰度曲线的第二维度的坐标值叠加，获得累加灰度曲线。
[0018]在一些实施例中，检测所述累加灰度曲线的波峰，包括：
[0019]检测所述累加灰度曲线中，第二维度的坐标值大于预设坐标阈值的目标坐标区间；
[0020]根据所述目标坐标区间的宽度以确定所述波峰对应的金属离子分布环的位置。
[0021]在一些实施例中，所述获取晶圆的灰度图像，包括：
[0022]通过图像采集装置以垂直于所述晶圆的表面的角度采集所述晶圆的第一图像；
[0023]将所述第一图像转换为二值化的灰度图像，其中，所述第一图像中灰阶值大于预设灰阶值的像素被转换为第一灰阶值的像素，所述第一图像中灰阶值不大于所述预设灰阶值的像素被转换为第二灰阶值的像素，所述第一灰阶值大于所述第二灰阶值。
[0024]在一些实施例中，所述累加灰度曲线的波峰的宽度对应所述金属离子分布环沿所述晶圆半径方向的宽度，所述波峰的高度对应所述金属离子分布环中的金属离子最大聚集度。
[0025]第二方面，本专利技术实施例提供了一种晶圆中金属离子分布识别装置，包括：
[0026]灰度图像获取模块，用于获取晶圆的灰度图像；
[0027]灰度曲线提取模块，用于根据所述灰度图像提取所述晶圆的N条灰度曲线，其中，所述晶圆由N个子区域构成，N为大于1的整数，所述子区域的形状为与所述晶圆的半径相同的扇形，且所述子区域的圆心和所述晶圆的圆心重合，每一所述灰度曲线对应一个所述子区域，且所述灰度曲线反应所述子区域沿半径方向的灰度变化；
[0028]叠加模块，用于叠加所述灰度曲线获得所述晶圆的累加灰度曲线；
[0029]波峰检测模块，用于检测所述累加灰度曲线的波峰，其中，所述累加灰度曲线的波峰对应所述晶圆中的金属离子分布环。
[0030]第三方面，本专利技术实施例提供了一种电子设备，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序；所述处理器，用于读取存储器中的程序实现如第一方面中任一项所述的晶圆中金属离子分布识别方法中的步骤。
[0031]第四方面，本专利技术实施例提供了一种可读存储介质，用于存储程序，所述程序被处理器执行时实现如第一方面中任一项所述的晶圆中金属离子分布识别方法中的步骤。
[0032]本专利技术实施例的技术方案中，通过将晶圆划分为多个子区域，然后获得每一子区域中的灰度曲线，进一步叠加所获得的灰度曲线获得累加灰度曲线，根据累加灰度曲线的波峰分布，能够确定金属离子的分布数量和位置，能够以一定的标准判定晶圆中不同位置金属离子分布情况，有助于提高对于金属离子分布情况的评估的准确性和一致性。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获
取其他的附图。
[0034]图1是本专利技术一实施例中晶圆中金属离子分布识别方法的流程图；
[0035]图2是本专利技术一实施例中采集晶圆图像的场景图；
[0036]图3是本专利技术一实施例中子区域的示意图；
[0037]图4是本专利技术一实施例中灰度曲线和累加灰度曲线的示意图；
[0038]图5是本专利技术一实施例中金属离子分布环的示意图；
[0039]图6是本专利技术一实施例中晶圆中金属离子分布识别装置的结构图。
具体实施方式
[0040]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。不冲突的情况下，下述实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0041]本专利技术实施例提供了一种晶圆中金属离子分布识别方法。
[0042]如图1所示，在一个实施例中，该方法包括以下步骤：
[0043]步骤101：获取晶圆的灰度图像。
[0044]本实施例中，为了使得晶圆中的金属离子显现出来，需要对晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆中金属离子分布识别方法，其特征在于，包括以下步骤：获取晶圆的灰度图像；根据所述灰度图像提取所述晶圆的N条灰度曲线，其中，所述晶圆由N个子区域构成，N为大于1的整数，所述子区域的形状为与所述晶圆的半径相同的扇形，且所述子区域的圆心和所述晶圆的圆心重合，每一所述灰度曲线对应一个所述子区域，且所述灰度曲线反应所述子区域沿半径方向的灰度变化；叠加所述灰度曲线获得所述晶圆的累加灰度曲线；检测所述累加灰度曲线的波峰，其中，所述累加灰度曲线的波峰对应所述晶圆中的金属离子分布环。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取晶圆的灰度图像之后，所述方法还包括：识别所述灰度图像中所述晶圆的边缘点；根据所述边缘点拟合所述灰度图像中的晶圆所对应的区域。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述灰度图像提取所述晶圆的N条灰度曲线，包括：在第n个子区域内，沿着所述子区域的半径方向，获取各像素点的灰阶值以及所述像素点与所述子区域的圆心之间的距离，其中，n为大于或等于1且小于N的整数；以所述像素点与所述子区域的圆心之间的距离为第一维度的坐标，以所述像素点的灰阶值为第二维度的坐标绘制第n个子区域的灰度曲线；遍历所述N个子区域，获得与所述N个子区域对应的N条灰度曲线，其中，位于相邻两个子区域的边界上的点的灰阶值包含于至多一条所述灰度曲线。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，叠加所述灰度曲线获得所述晶圆的累加灰度曲线，包括：以所述第一维度的坐标为基准，将所述N条灰度曲线的第二维度的坐标值叠加，获得累加灰度曲线。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，检测所述累加灰度曲线的波峰，包括：检测所述累加灰度曲线中，第二维度的坐标值大于预设坐标阈值的目标坐标区间；根据所述目标坐标区间的宽度以确...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛兵，韩建峰，
申请(专利权)人：西安奕斯伟设备技术有限公司，
类型：发明
国别省市：