耗尽电压获取方法技术

本发明专利技术提供一种耗尽电压获取方法，耗尽电压获取方法用于获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，耗尽电压获取方法包括：获取半导体器件的电容

【技术实现步骤摘要】
耗尽电压获取方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种耗尽电压获取方法。

技术介绍

[0002]二维电子气(2DEG)存在于一些异质结构中，对于半导体突变异质结，由于导带底能量突变量ΔEc的存在，则在界面附近出现有“尖峰”和“凹口”；实际上，对异质结中导带电子的作用而言，该“尖峰”也就是电子的势垒，“凹口”也就是电子的势阱。因此，实际上“尖峰”中的电场有驱赶电子的作用，即形成耗尽层；“凹口”中的电场有驱赶空穴、积累电子的作用，在条件合适时，即可形成电子积累层(即表面导电沟道)。如果“凹口”势阱的深度足够大，则其中的电子就只能在势阱中沿着平面的各个方向运动(即紧贴着异质结界面运动)，即为二维运动的电子；进而，若引入有效质量概念，则可认为这些电子是经典自由电子，从而可把异质结势阱中的电子看作为具有一定有效质量的“二维电子气”。
[0003]耗尽层，又称耗尽区、阻挡层、势垒区，是指结区中在漂移运动和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域。耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。在反向偏压下，耗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耗尽电压获取方法，其特征在于，所述耗尽电压获取方法用于获取半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压，所述耗尽电压获取方法包括：获取所述半导体器件的电容
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反向偏置电压特性曲线；获取所述电容
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反向偏置电压特性曲线中的电容对反向偏置电压的二阶微分，并得到所述半导体器件的二阶微分特性曲线；根据所述半导体器件的二阶微分特性曲线，获取所述半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压。2.根据权利要求1所述的耗尽电压获取方法，其特征在于，所述根据所述半导体器件的二阶微分特性曲线，获取所述半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压包括：建立二维坐标系，所述二维坐标系的横坐标为反向偏置电压，所述二阶微分特性曲线具有波峰，且所述二阶微分特性曲线与所述二维坐标系的横坐标具有多个交点，所述交点位于所述波峰相对的两侧；所述波峰邻近所述二维坐标系原点一侧的所述交点的横坐标值即为获取所述半导体器件中二维电子气沟道内电子耗尽时的耗尽电压。3.根据权利要求1或2所述的耗尽电压获取方法，其特征在于，所述半导体器件包括欧姆接触电极和肖特基接触电极；所述获取半导体器件的电容
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反向偏置电压特性曲线包括：将所述半导体器件的欧姆接触电极接地；于所述半导体器件的肖特基接触电极上施加电压；采用电容
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电压测试仪对所述半导体器件进行电容
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电压特性测试，以得到所述电容
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反向偏置电压特性曲线。4.根据权利要求3所述的耗尽电压获取方法，其特征在于，所述半导体器件还包括：第一AlGaN/AlN/GaN异质结构，所述第一AlGaN/AlN/GaN异质结构中的所述AlN层与所述GaN层的界面处存在第一二维电子气沟道；第二AlGaN/AlN/GaN异质结构，位于所述第一AlGaN/AlN/GaN异质结构的表面，所述第二AlGaN/AlN/GaN异质结构中的所述AlN层与所述GaN层的界面处存在第二二维电子气沟道；第三AlGaN/AlN/GaN异质结构，位于所述第二AlGaN/AlN/GaN异质结构远离所述第一AlGaN/AlN/GaN异质结构的表面，所述第三AlGaN/AlN/GaN异质结构中的所述AlN层与所述GaN层的界面处存在第三二维电子气沟道；所述第一二维电子气沟道中的电子浓度、所述第二二维电子气沟道中的电子浓度及所...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳月波，赖灿雄，杨少华，路国光，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：