半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供不因空气中浮游的尘埃而产生短路的半导体装置的制造方法、半导体装置、窄间距用连接器、静电传动器、压电传动器等的微机械、包含这些微机械的喷墨头、喷墨打印机、液晶面板以及电子装置。 在对硅晶片（３０）进行切割来制造多个半导体装置（２０）的方法中，在上述硅晶片上以跨越切割线的方式形成被绝缘层覆盖的槽（３０ａ），沿上述切割线对上述硅晶片进行切割。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法、半导体装置、窄间距用连接器、静电传动器、压电传动器、喷墨头、喷墨打印机、微机械、液晶面板、电子装置
本专利技术涉及半导体装置的制造方法、半导体装置、窄间距用连接器、包含该窄间距用连接器的静电传动器、压电传动器、微机械、液晶面板以及使用了该静电传动器、压电传动器的喷墨头、安装了该喷墨头的喷墨打印机、电子装置。
技术介绍
以往，已知有在单晶硅晶片(以下，称为硅晶片)上形成绝缘层的同时利用CVD法(或溅射法)和刻蚀在该绝缘层的上表面上形成布线等来制造半导体装置的方法。图23是形成了半导体装置的硅晶片的平面图，图24是将图23中的A-A剖面图的主要部分放大后示出的图。如图23中所示，在硅晶片1的表面上夹住切割线5以栅格状形成了多个半导体装置3。这里示出的半导体装置3具有在硅晶片1的表面的绝缘层4上形成了的IC7和从该IC7引出的微细布线9。如图25中所示，利用金刚石刀或被称为旋转的切割刀的薄的砂轮等的刀11沿切割线5将以这种方式在硅晶片1的表面上形成的多个半导体装置3切成芯片状。被切成芯片状的半导体装置3例如经由聚酰亚胺构成的柔性基板(连接器)与外部基板以电的方式、机械的方式进行连接。再有，使用含有导电性粒子的各向异性导电粘接剂等、利用加压和加热进行半导体装置3的端子电极与柔性基板的电极的连接。但是，以上述方式制造的半导体基板存在以下的问题。图26(A)(B)是从硅晶片1切出的半导体装置3的主要部分的放大图。如图26(A)中所示，由于切出半导体装置3的缘故，沿切割线的端面1a的单晶面露出。此外，在硅晶片1的表面上形成的绝缘层4的厚度只有约5000～20000埃。因此，如图26(B)中所示，在空气中浮游的导电性的尘埃13以跨越绝缘层的方式附着于其上，-->存在半微细布线9与端面1a短路(边缘短路)的可能性。此外，如图26(B)中所示，也存在下述的可能性：在IC7与微细布线9的连接中使用的焊锡或导电性粘接剂流出、到达端面1a、从而产生短路(边缘短路)。半导体装置3的表面的微细布线9以外的部分被绝缘层4所覆盖。因此，在空气中发生了静电的情况下，在半导体装置3的微细布线9上带静电，由于重复上述过程，故也存在微细布线9发生熔断的问题。再者，作为半导体装置，包含例如静电传动器、压电传动器等的微机械、在窄间距用连接器上连接配置IC而构成的半导体装置的微机械等、液晶面板等。专利技术的公开本专利技术的目的在于提供半导体装置的制造方法、半导体装置、窄间距用连接器、静电传动器、压电传动器等的微机械、包含该微机械的喷墨头、喷墨打印机、液晶面板、电子装置。(1)与本专利技术的一个形态有关的半导体装置的制造方法是对硅晶片进行切割来制造多个半导体装置的制造方法，其特征在于：在上述硅晶片上以跨越切割线的方式形成被绝缘层覆盖的槽，沿上述切割线对上述硅晶片进行切割。按照上述制造方法，在半导体装置的外周面上形成绝缘层。因此，即使导电性的尘埃附着于半导体装置的边缘部上，也被在外周面上形成的绝缘层遮住，不到达硅结晶面上。因此，不会发生短路。此外，即使安装元件用的焊锡或导电性粘接剂流出，也被在外周面上形成的绝缘层遮住，不到达硅结晶面上。因此，在该情况下也不会发生短路。(2)与本专利技术的另一个形态有关的半导体装置的制造方法，在上述(1)中，在上述槽的底面上形成了绝缘层后，在该绝缘层上形成金属膜。通过这样做，可防止空气中的静电使该金属膜带电、在半导体元件或布线部上带静电。此外，可防止使金属膜带因蓄积了静电的人或蓄积了静电的金属与半导体装置接触而移动的静电、在半导体元件或布线部上直接带静电。-->(3)与本专利技术的另一个形态有关的半导体装置的制造方法，在上述(2)中，使上述金属膜与上述硅晶片的结晶面导通。通过这样做，通过在组装线上使支撑半导体基板的装置接地、或在组装后使结晶面接地，可使金属膜带静电、同时使带了电的静电流走，能更可靠地防止静电的不良影响。(4)与本专利技术的另一个形态有关的半导体装置的制造方法，在上述(1)至(3)中，将上述硅晶片的表面的结晶面定为(110)面，利用各向异性刻蚀在(110)面上形成上述槽。如果在(110)面上进行各向异性刻蚀，则可自由地设定被形成的槽的深度。因此，可形成与所预想的尘埃的大小(长度)及元件的安装中使用的焊锡或导电性粘接剂的粘性和量对应的槽深。(5)与本专利技术的另一个形态有关的半导体装置的制造方法，在上述(1)至(3)中，将上述硅晶片的表面的结晶面定为(100)面，利用各向异性刻蚀在(100)面上形成上述槽。如果在(100)面上进行各向异性刻蚀，则可将槽的形状形成为V字形，在将半导体装置切成芯片状时，就在半导体装置的周围形成倾斜状的绝缘层，容易除去在切割时发生的尘埃或污物。(6)与本专利技术的另一个形态有关的半导体装置中，在形成了元件的基板的外周面上形成了绝缘层。由于在半导体装置的外周面上形成了绝缘层，故即使导电性的尘埃附着于半导体装置的边缘部上，也被在外周面上形成的绝缘层遮住，不到达基板面上。因此，不会短路。此外，即使安装元件用的焊锡或导电性粘接剂流出，也被在外周面上形成的绝缘层遮住，不到达基板面上。因此，此时，也不会短路。(7)与本专利技术的另一个形态有关的半导体装置，在上述(6)中，在上述外周面上形成了倾斜部。由于在半导体装置的周围形成了倾斜部，故容易除去附着于半导体装置的边缘部上的尘埃和污物。(8)与本专利技术的另一个形态有关的半导体装置，在上述(6)中，在上述外周面上形成了台阶差部。(9)与本专利技术的另一个形态有关的窄间距用连接器中，在基板上形成了多个第1端子电极和第2端子电极，形成了导电性地连接上-->述第1端子电极和上述第2端子电极用的布线，上述布线具有变换上述第1端子电极间的间距和上述第2端子电极间的间距的功能，在上述基板的外周面上形成了绝缘层。由于在窄间距用连接器的外周面上形成了绝缘层，故即使导电性的尘埃附着于基板的外周部上，也被在外周面上形成的绝缘层遮住，不到达基板面上。因此，不会短路。此外，即使在窄间距用连接器与连接对象物或外部基板的接合时使用的焊锡或导电性粘接剂流出，也被绝缘层遮住，不到达基板面上。因此，此时，也不会短路。(10)与本专利技术的另一个形态有关的窄间距用连接器，在上述(9)中，在上述外周面上形成了倾斜部。由于在窄间距用连接器的基板的外周面上形成了倾斜部，故容易除去附着于窄间距用连接器的边缘部上的尘埃和污物。(11)与本专利技术的另一个形态有关的窄间距用连接器，在上述(9)中，在上述外周面上形成了台阶差部。(12)与本专利技术的另一个形态有关的窄间距用连接器，在上述(9)至(11)中，在上述绝缘层上形成了金属膜。通过这样做，可防止空气中的静电使该金属膜带电、在窄间距用连接器的微细布线部上带静电。此外，可防止因蓄积了静电的人或蓄积了静电的金属与半导体装置接触而使金属膜带有移动的静电、在半导体元件或布线部上直接带静电。(13)与本专利技术的另一个形态有关的窄间距用连接器，在上述(12)中，使上述金属膜与上述基板导通。通过这样做，通过在组装线上使支撑窄间距用连接器的装置接地、或在组装后使结晶性基板接地，可使金属膜带静电、同时可使带了电的静电流走，能更可靠地防止静电的不良影响。(14)与本专利技术的另一个形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其中，对硅晶片进行切割来制造多个半导体装置，其特征在于： 在上述硅晶片上以跨越切割线的方式形成被绝缘层覆盖了的槽，沿上述切割线对上述硅晶片进行切割。

【技术特征摘要】
JP 1999-3-31 94074/991．一种半导体装置的制造方法，其中，对硅晶片进行切割来制造多个半导体装置，其特征在于：在上述硅晶片上以跨越切割线的方式形成被绝缘层覆盖了的槽，沿上述切割线对上述硅晶片进行切割。2．如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在上述槽的底面上形成了绝缘层后，在该绝缘层上形成金属膜。3．如权利要求2中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：使上述金属膜与上述硅晶片的结晶面导通。4．如权利要求1至3的任一项中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：上述硅晶片的表面的结晶面是(100)面，利用各向异性刻蚀在(100)面上形成上述槽。5．如权利要求1至3的任一项中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：上述硅晶片的表面的结晶面是(110)面，利用各向异性刻蚀在(110)面上形成上述槽。6．一种半导体装置，其特征在于：在形成了元件的基板的外周面上形成了绝缘层。7．如权利要求6中所述的半导体装置，其特征在于：上述外周面具有倾斜部。8．如权利要求6中所述的半导体装置，其特征在于：上述外周面具有台阶差部。9．一种窄间距用连接器，其中，在基板上形成了多个第1端子电极和第2端子电极，形成了导电性地连接上述第1端子电极和上述第2端子电极用的布线，上述布线具有变换上述第1端子电极间的间距和上述第2端子电极间的间距的功能，其特征在于：在上述基板的外周面上形成了绝缘层。10．如权利要求9中所述的窄间距用连接器，其特征在于：上述外周面具有倾斜部。11．如权利要求9中所述的窄间距用连接器，其特征在于：上述外周面具有台阶差部。-->12．如权利要求9至11的任一项中所述的窄间距用连接器，其特征在于：在上述绝缘层上形成了金属膜。13．如权利要求12中所述的窄间距用连接器，其特征在于：上述金属膜与上述基板导通。14．如权利要求9至13的任一项中所述的窄间距用连接器，其特征在于：上述基板的热膨胀系数具有与上述连接对象物的热膨胀系数大致相等或比上述连接对象物的热膨胀系数小的特性。15．如权利要求9至14的任一项中所述的窄间距用连接器，其特征在于：上述基板由单晶硅形成。16．如权利要求15中所述的窄间距用连接器，其特征在于：上述单晶硅的结晶面是(100)面。17．如权利要求15中所述的窄间距用连接器，其特征在于：上述单晶硅的结晶面是(110)面。18．一种微机械，具有运动机构部和形成了多个第1端子电极的第1基板，其特征在于：具有形成了与上述多个第1端子电极导电性地连接用的第2端子电极的第2基板，在上述第2基板上形成了多个第3端子电极和导电性地连接上述第2端子电极与上述第3端子电极用的布线，上述布线具有变换上述第2端子电极间的间距和上述第3端子电极间的间距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了绝缘层。19．一种压电传动器，具有压电元件和形成了多个第1端子电极的第1基板，其特征在于：具有形成了与上述多个第1端子电极导电性地连接用的第2端子电极的第2基板，在上述第2基板上形成了多个第3端子电极和导电性地连接上述第2端子电极与上述第3端子电极用的布线，上述布线具有变换上述第2端子电极间的间距和上述第3端子电-->极间的间距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了绝缘层。20．一种静电传...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤英一，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]