半导体模块和半导体模块的劣化检测方法技术

本发明专利技术的半导体模块和半导体模块的劣化检测方法简便地检测IGBT芯片等半导体元件的接合部的劣化。在具备与布线图案部接合并且根据施加于栅电极端子的驱动信号使两个主电极端子间导通、截止的半导体元件的半导体模块中，具备劣化检测电路，该劣化检测电路将被施加有直流电压的所述半导体元件的两个主电极端子中的一个主电极端子作为基准电位，基于该一个主电极端子与所述栅电极端子之间的电压即栅极电压、以及该一个主电极端子与另一个主电极端子之间的电压即主电极间电压，来检测所述半导体元件的接合部的劣化而输出告警信号。述半导体元件的接合部的劣化而输出告警信号。述半导体元件的接合部的劣化而输出告警信号。

【技术实现步骤摘要】
半导体模块和半导体模块的劣化检测方法


[0001]本专利技术涉及检测将电力转换用的IGBT芯片与IGBT的驱动功能和/或保护功能集成于一个封装而成的IPM(智能功率模块)等半导体模块的劣化的技术。

技术介绍

[0002]一般地，智能功率模块(IPM：Intelligent Power Module)搭载绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、续流二极管(FWD)等半导体元件(功率器件)，并且也具备控制半导体元件的驱动的功能。
[0003]在图5中示出IPM的结构的一例。应予说明，以下使用IGBT作为半导体元件的例子进行说明。在图5中，关于半导体模块1，金属板54介由例如焊料层53而被接合于金属基底52之上。在金属板54的上表面配置有由氧化铝陶瓷等构成的绝缘板55。在绝缘板55的上表面配置有布线图案部56、布线图案部57，并且在布线图案部56的上表面通过焊料层58接合有IGBT 2。另外，在IGBT 2与布线图案部57之间键合有引线59。在金属基底52安装有散热片51。
[0004]此处，金属板54与布线图案部56、布线图案部57能够在绝本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体模块，其特征在于，具备半导体元件，该半导体元件与布线图案部接合并根据施加于栅电极端子的驱动信号使两个主电极端子间导通、截止，所述半导体模块具备劣化检测电路，该劣化检测电路将施加有直流电压的所述半导体元件的两个主电极端子中的一个主电极端子作为基准电位，基于该一个主电极端子与所述栅电极端子之间的电压即栅极电压、以及该一个主电极端子与另一个主电极端子之间的电压即主电极间电压，检测所述半导体元件的接合部的劣化而输出告警信号。2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，具备用于向外部输出所述告警信号的端子。3.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其特征在于，所述劣化检测电路在将所述栅极电压的值与第一基准电压值进行比较且所述栅极电压的值成为所述第一基准电压值以上，并且将对所述主电极间电压进行电阻分压所生成的分压电压的值与第二基准电压值进行比较且所述分压电压的值成为所述第二基准电压值以上时，输出所述告警信号。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体模块，其特征在于，所述劣化检测电路具备：第一比较器，其将所述栅极电压的值与第一基准电压值进行比较，如果所述栅极电压的值成为所述第一基准电压值以上，则其输出成为高电平；第二比较器，其将对所述主电极间电压进行电阻分压所生成的分压电压的值与第二基准电压值进行比较，如果所述分压电压的值成为所述第二基准电压值以上，则其输出成为高电平；以及与电路，其进行所述第一比较器的输出与所述第二比较器的输出之间的逻辑与...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑泽英二，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
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