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本发明的半导体模块和半导体模块的劣化检测方法简便地检测IGBT芯片等半导体元件的接合部的劣化。在具备与布线图案部接合并且根据施加于栅电极端子的驱动信号使两个主电极端子间导通、截止的半导体元件的半导体模块中，具备劣化检测电路，该劣化检测电路将...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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