半导体器件的导通压降测量电路制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的导通压降测量电路，包括：钳位电路、开关电路、稳压电路以及差分放大电路；所述钳位电路的输入端与待测MOSFET的漏极连接，所述待测MOSFET的源极接地，所述钳位电路的输出端与所述开关电路以及所述差分放大电路连接，所述开关电路通过所述稳压电路接地；所述差分放大电路的输出端接电压测量设备以进行结温计算。本发明专利技术能够稳定快速地获取半导体器件的导通压降，测量精度高，受温度影响小。受温度影响小。受温度影响小。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的导通压降测量电路


[0001]本专利技术属于电力电子
，具体涉及到一种半导体器件的导通压降测量电路。

技术介绍

[0002]金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
‑
Effect Transistor,MOSFET)是一种广泛应用于模拟电路和数字电路的电子元器件。在功率等级较大的场合，功率MOSFET由于其具有热稳定性好、开关频率大、安全工作区大，综合效率高等优点而得到广泛应用。功率MOSFET的可靠性往往对整个系统的可靠性有着重要的影响。一旦功率MOSFET失效，控制和电源部分就不能正常工作，甚至导致系统整体失效。当MOSFET在导通状态下通过的电流数值较大时，会引起结温的升高，从而对器件造成损坏，而如果可以在线测量结温，就可以方便的对器件进行控制，从而大大提高MOSFET的可靠性。
[0003]目前，现有的半导体器件检测方法大致可以分为物理接触式测试法、光学非接触时测试法、热阻抗模型预测法和热敏参数法，由本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的导通压降测量电路，其特征是，所述测量电路包括：钳位电路、开关电路、稳压电路以及差分放大电路；所述钳位电路的输入端与待测MOSFET的漏极连接，所述待测MOSFET的源极接地，所述钳位电路的输出端与所述开关电路以及所述差分放大电路连接，所述开关电路通过所述稳压电路接地；所述差分放大电路的输出端接电压测量设备以进行结温计算。2.如权利要求1所述的半导体器件的导通压降测量电路，其特征是，所述钳位电路包括第一电阻，所述第一电阻的一端与所述待测MOSFET的漏极连接，另一端与所述开关电路以及所述差分放大电路连接。3.如权利要求2所述的半导体器件的导通压降测量电路，其特征是，所述开关电路包括二极管，所述二极管的阳极与所述第一电阻的另一端连接，所述二极管的阴极与所述稳压电路连接。4.如权利要求3所述的半导体器件的导通压降测量电路，其特征是，所述开关电路还包括电压基准源，所述电压基准源的正极与所述二极管的阴极连接，所述电压基准源的负极接地。5.如权利要求3所述的半导体器件的导通压降测量电路，其特征是，所述稳压电路包括：稳压二极管和第二电阻，所述稳压二极管的阴极与所述二极管的阴极连接，所述稳压二极管的阳极通过所述第二电阻接地。6.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：向超群，席振，于天剑，成庶，尹雪瑶，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：