一种高功率发光二极管封装结构制造技术

技术编号:3240020 阅读:161 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术适用于发光二极管,提供了一种高功率发光二极管封装结构,包括壳体、透镜及散热座,在壳体两侧分别设置有第一支架及第二支架,二支架一端分别设置于壳体内部,而其另一端则分别延伸出壳体之外;所述透镜置于所述壳体上;所述散热座设置于壳体内部;所述散热座包括第一表面及第二表面,发光二极管芯片设置于所述第一表面上,在所述第二表面上设置有凸起,第一支架与散热座第二表面上的凸起电性导通,第一支架和第二支架分别与发光二极管芯片的电极电性连接。本实用新型专利技术能够减少焊线工艺,从而节省了物料,也节省了制作成本。(*该技术在2017年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于高功率发光二极管封装结构,尤其涉及一种能够减少焊线 工艺的高功率发光二极管封装结构。
技术介绍
目前,具有散热座装置的高功率发光二极管封装结构,其具有一壳体,在 壳体内部设置有第 一支架及与第 一支架相对应的第二支架,二支架分别连接至外部; 一透镜设置于该壳体上方的凹陷部; 一散热座设置于该壳体内部,该散 热座底部外露于壳体,可将壳体内部热量导出; 一个或多个发光二极管芯片被 透镜包覆设置于散热座上方,通过多条晶线与第一、二支架电性连接,以提供 电压源给发光二极管芯片使用。上述习用的高功率发光二极管封装结构中,采用了多条晶线将发光二极管 芯片与支架连接的方式来达到电性连接的目的,其工艺步骤较复杂,物料成本 较高,从而使得制作成本高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于提供一种高功率发光二极管封装结 构,旨在解决现有技术中存在的高功率发光二极管封装结构工艺步骤复杂,制 作成本和物料成本高的问题。本技术是这样实现的, 一种高功率发光二极管封装结构,包括壳体、 透镜及散热座,在壳体两侧分别设置有第一支架及第二支架,二支架一端分別 设置于壳体内部,而其另一端则分别延伸出壳体之外;所述透镜置于所述壳体 上;所述散热座设置于壳体内部;所述散热座包括第一表面及第二表面,发光二极管芯片设置于所述第一表面上,在所述第二表面上设置有凸起,第一支架 与散热座第二表面上的凸起电性导通,第一支架和第二支架分别与发光二极管 芯片的电极电性连接。本技术利用散热座组立于壳体内部,该壳体的两側分别设有第一、二 支架,该散热座的第二表面上的凸起与第一支架形成电性导通,能减少部分焊 线工艺,从而节省了物料,也节省了制作成本。附图说明图1是本技术提供的发光二极管封装结构一较佳实施例的分解示意图。图2是图1所示实施例中散热座的立体示意图。 图3是图1所示实施例的立体组合示意图。具体实施方式为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明 白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解, 此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。请参阅图1至图3,本实施例的高功率发光二极管封装结构包括透镜10、 壳体12及散热座14。壳体12上表面具有一凹陷部24,透镜10通过硅胶粘贴 或者通过铆接方式安装在壳体12的凹陷部24上,散热座14则安装在壳体12 内,并且其底部棵露于壳体12外。所述散热座14可由导热系数较高的金属,如铜、铁、铝、不锈钢、合金等 制成,其上表面中央向上凸伸形成一环状的凸缘144,凸緣144内部区域的底 面为第一表面141, 一个或多个具有上、下电极的发光二极管芯片16设置于第 一表面141上,所述凸缘144外部区域的散热座14的上表面为第二表面142, 于第二表面142上设有一个或多个凸起143。上述凸缘144的外型可为圆柱状、长方体状、多边立方体状等设计,使得能够针对不同的壳体12的凹陷部24设 计,以便于进行相互装配连接之用。所述壳体12由可塑高温塑料制成,其两侧分别设有第一支架20及第二支 架22, 二支架相互绝缘,其一端分别设置于壳体12内部,而其另一端则分别 延伸出壳体12之外。其中,第一支架20与散热座14第二表面142上的凸起 143电性导通,第一支架20及第二支架22分别与发光二极管芯片16的电极电 性导通,具体实施时,第一支架20可与发光二极管芯片16的下电极形成电性 连接,而第二支架22则可与发光二极管芯片16的上电极电性连接。上述实施例中,由于散热座14安装于壳体12内部,并且其凸起143与第 一支架20接触以形成电性导通,因此,本实施例中的发光二极管封装结构在制 作过程中无需焊线,其工艺较筒单,并且可有效降低制作成本和物料成本。此外,壳体12中的部分热量可通过与散热座14相连的第一支架20导出至 壳体12外部;而散热座14底部棵露于壳体12的下方,据此可以充分地接触外 界散热结构,有利于散热降温。所述壳体12与散热座14装配后,发光二极管 芯片16发光所产生的高温必须排出于壳体12之外,为进一步提高散热效能, 于壳体12侧壁开i殳有若干气流孔26,以增加散热效果。综上所述,上述实施例利用散热座14组立于壳体12内部,第一支架20 与散热座14的凸起143形成电性导通,因此与习用高功率发光二极管封装结构 中需要用多条晶线将发光二极管芯片与第一、第二支架连接相较,本实施例能 减少部分焊线工艺,从而节省了物料,也节省了制作成本。此外,该散热座14 的第二表面142上的凸起143与第一支架20直接接触,使得壳体12中的部分 热量可通过该第一支架20导出至壳体12外,从而比习用的散热座结构进一步 提高了散热效能,而在壳体12上开设气流孔23更有助于提高散热效能。另夕卜, 散热座14上的凸起143使得壳体12与散热座14的接触面积增大,从而使散热 座14与壳体12的结合更加稳固。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已,并不用以限制本技术,凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应 包含在本技术的保护范围之内。权利要求1、一种高功率发光二极管封装结构,包括壳体、透镜及散热座,在壳体两侧分别设置有第一支架及第二支架,二支架一端分别设置于壳体内部,而其另一端则分别延伸出壳体之外;所述透镜置于所述壳体上;所述散热座设置于壳体内部;其特征在于,所述散热座包括第一表面及第二表面,发光二极管芯片设置于所述第一表面上,在所述第二表面上设置有凸起,第一支架与散热座第二表面上的凸起电性导通,第一支架和第二支架分别与发光二极管芯片的电极电性连接。2、 如权利要求l所述的高功率发光二极管封装结构,其特征在于,所述散 热座的底部棵露于壳体下方。3、 如权利要求1或2所述的高功率发光二极管封装结构,其特征在于,所 述壳体的侧壁上开设有气流孔。4、 如权利要求l所述的高功率发光二极管封装结构,其特征在于,所述散 热座上表面中央向上凸伸形成一环状凸缘,所述凸缘内部区域的底面为所述第 一表面。5、 如权利要求4所述的高功率发光二极管封装结构,其特征在于,所述凸 缘为圆柱状、长方体状或者多边立方体状。6、 如权利要求l所述的高功率发光二极管封装结构,其特征在于,所述第 一支架与第二支架相互绝缘。7、 如权利要求1或6所述的高功率发光二极管封装结构,其特征在于,所 述第一支架与发光二极管芯片的下电极电性连接,所述第二支架则与发光二极 管芯片的上电极电性连接。8、 如权利要求l所述的高功率发光二极管封装结构,其特征在于,所述透镜与壳体之间通过硅胶组合或者通过铆接方式组合。专利摘要本技术适用于发光二极管,提供了一种高功率发光二极管封装结构,包括壳体、透镜及散热座,在壳体两侧分别设置有第一支架及第二支架,二支架一端分别设置于壳体内部,而其另一端则分别延伸出壳体之外;所述透镜置于所述壳体上;所述散热座设置于壳体内部;所述散热座包括第一表面及第二表面,发光二极管芯片设置于所述第一表面上,在所述第二表面上设置有凸起,第一支架与散热座第二表面上的凸起电性导通,第一支架和第二支架分别与发光二极管芯片的电极电性连接。本实用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高功率发光二极管封装结构,包括壳体、透镜及散热座,在壳体两侧分别设置有第一支架及第二支架,二支架一端分别设置于壳体内部,而其另一端则分别延伸出壳体之外;所述透镜置于所述壳体上;所述散热座设置于壳体内部;其特征在于,所述散热座包括第一表面及第二表面,发光二极管芯片设置于所述第一表面上,在所述第二表面上设置有凸起,第一支架与散热座第二表面上的凸起电性导通,第一支架和第二支架分别与发光二极管芯片的电极电性连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:宋文洲
申请(专利权)人:深圳市龙岗区横岗光台电子厂今台电子股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:94[中国|深圳]

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