【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体工艺方法，尤其涉及。
技术介绍
超大规模集成电路制造中，高密度等离子体工艺是用在氧化膜生长中，在腔体中通气体并加射频能量使分子离化，按一定比例生长和刻蚀，从而提高氧化膜在小区域(0.2um)的填充能力。但该方法从未用在氮化硅膜的生长中。氮化硅有很好的性能去解决其它阻挡层固有的问题，如低应力和较高刻蚀选择比，而且与现有的工艺兼容。在超大规模集成电路制造中，氮化膜在小区域(0.2um)也需要高的填充能力。在已有技术中，氮化硅膜是用中密度等离子体化学气相淀积或炉管生长，它的填充能力很不好。在小区域(0.2um)的填充能力不好，不能满足工艺要求。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供，提高氮化硅膜在小区域(0.2um)的填充能力。为解决上述技术问题，本专利技术所述的，包括以下步骤 第一步，在高密度等离子体腔体通硅烷和一氧化二氮；第二步，同时起动等离子体去激发和离化硅烷和一氧化二氮的气体分子成自由基迁移到硅片的表面而成长成膜；第三步，硅烷和一氧化二氮在高密度等离子体腔体中形成氮化硅膜。为解决上述技术问题，本专利技术所述的，包括以下步骤第一步，在高密度等离子体腔体中通硅烷和氨气；第二步，同时起动等离子体去激发和离化硅烷和氨气的气体分子成自由基迁移到硅片的表面而成长成膜；第三步，硅烷和氨气在高密度等离子体腔体中形成氮化硅膜。本专利技术，在高密度等离子体腔体通硅烷和一氧化二氮，或者在高密度等离子体腔体中通硅烷和氨气，在高密度等离子体腔体中形成氮化硅膜。由于高密度等离子体腔体在生长膜的过程，淀积的同时刻蚀，通过调整淀积和刻蚀比例，进行氮化...
【技术保护点】
一种氮化硅膜的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在高密度等离子体腔体通硅烷和一氧化二氮；第二步，同时起动等离子体去激发和离化硅烷和一氧化二氮的气体分子成自由基迁移到硅片的表面而成长成膜；第三步，硅烷和一氧化 二氮在高密度等离子体腔体中形成氮化硅膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈华伦，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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