基板处理装置用遮蔽件制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种基板处理装置用遮蔽件，设置于基板处理装置的反应管的底部，防止从缓冲室供给的等离子体沿着相反侧的反应管的内表面向下流动而被排气，由此，能够改善晶舟的上下的基板处理的均匀性，并且，遮蔽加热器的辐射热，抑制与炉口部空间之间的气体的出入，能够提高炉口部的隔热性。该基板处理装置用遮蔽件具备：圆弧状的底板；从上述底板直立的多个支柱；以及由上述多个支柱沿垂直方向以多层支承的圆弧状的多个隔断板。多层支承的圆弧状的多个隔断板。多层支承的圆弧状的多个隔断板。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置用遮蔽件


[0001]本技术涉及一种在基板处理装置中使用的遮蔽件。

技术介绍

[0002]半导体器件制造工序之一是成膜工序，通过利用了等离子体的CVD(Chemical Vapor Deposition)法或ALD(Atomic Layer Deposition)法在基板上堆积规定的薄膜。
[0003]但是，在基板处理装置中，从缓冲室供给的等离子体会沿着相反侧的反应管的内表面向下流动而被排气。由此，在晶舟的上下，基板处理变得不均匀。而且，炉口部的隔热性也需进一步改善。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于提供一种基板处理装置用遮蔽件，用于改善晶舟上下的基板处理的均匀性、以及炉口部的隔热性。
[0005]为了实现上述目的中的至少一个，本技术提供一种基板处理装置用遮蔽件，具备：圆弧状的底板；从所述底板直立的多个支柱；以及由所述多个支柱沿垂直方向以多层支承的圆弧状的多个隔断板。
[0006]技术效果
[0007]根据本技术的基板处理装置用遮蔽件，防止从缓冲室供给的等离子体沿着相反侧的反应管的内表面向下流动而被排气，从而在晶舟的上下，基板处理的均匀性得到改善，并且，遮蔽加热器的辐射热，抑制与炉口部空间之间的气体的出入，能够提高炉口部的隔热性。
附图说明
[0008]图1是以纵截面来表示作为基板处理装置的一例的远程等离子体处理装置所使用的处理炉部分的图。
[0009]图2是以横截面来表示图1所示的处理炉的图。
[0010]图3是本技术的基板处理装置用遮蔽件的立体图。
[0011]图4是本技术的基板处理装置用遮蔽件的侧视图。
[0012]图5是本技术的基板处理装置用遮蔽件的俯视图。
[0013]图6是本技术的基板处理装置用遮蔽件的仰视图。
[0014]图7是本技术的基板处理装置用遮蔽件的后视图。
[0015]附图标记说明
[0016]202：处理炉，207：加热器，200：晶圆，203：反应管，219：密封盖，220：气密部件，201：处理室，217：晶舟，218：晶舟支承台，310、320、330：气体供给管，410、420、430：喷管，423、433：缓冲室，451、452、461、462：电极保护管，424、434：缓冲室壁，425、435：气体供给孔，471、472、481、482：棒状电极，271：匹配器，270：高频电源，230：排气口，231：排气管，10：
遮蔽件，11：底板，12：支柱，13：隔断板，14：螺纹孔，15：切缺口。
具体实施方式
[0017]以下，使用附图说明用于实施本技术的具体方式。为了便于理解，存在附图中的部件与实际样态相比，比例不一致或示意表示的情况，也存在附图彼此之间的同一部件的比例不一致的情况。
[0018]首先，参照图1、图2来说明在远程等离子体处理装置(以下称为基板处理装置)中所使用的处理炉202。如图1以及图2所示，在处理炉202上，设有作为用于加热晶圆200的加热装置(加热机构)的加热器207。加热器207具有上方封闭的圆筒形状的隔热部件和多根加热线。在加热器207的内侧，与加热器207为同心圆状地设有用于处理晶圆200的石英制的反应管203。
[0019]在反应管203的下方，设有作为能够将反应管203的下端开口气密地封闭的炉口盖体的密封盖219。密封盖219从垂直方向下侧与反应管203的下端抵接。密封盖219例如由不锈钢等金属构成，形成为圆盘状。在设于反应管203的下部开口端部的环状的凸缘与密封盖219的上表面之间配置有气密部件220(例如O型环)，两者之间被气密地密封。至少通过反应管203以及密封盖219形成处理室201。
[0020]在密封盖219上设有支承晶舟217的晶舟支承台218。晶舟支承台218设于反应管203内，具有圆筒外形，作为例如由石英或碳化硅等耐热性材料构成的隔热部来发挥作用，并且成为支承晶舟的支承体。晶舟217竖立设置于晶舟支承台218上。晶舟217例如由石英或碳化硅等耐热性材料构成。晶舟217具有固定于晶舟支承台218的底板和配置于其上方的顶板，并具有在底板与顶板之间架设多根支柱的结构。在晶舟217上保持有多片晶圆200。多片晶圆200一边彼此隔开固定间隔，一边保持水平姿势且在将中心对齐的状态下在反应管203的管轴向上积载多层并支承于晶舟217的支柱。
[0021]对于以上的处理炉202，在批次处理的多片晶圆200相对于晶舟217层叠多层的状态下，使晶舟217一边由晶舟支承台218支承一边插入至处理室201、并使加热器207将插入至处理室201的晶圆200加热至规定的温度。
[0022]如图1以及图2所示，连接有用于供给原料气体的多根气体供给管(例如气体供给管310、320、330)。在处理室201内设有喷管410、420、430。喷管410、420、430将反应管203的下部贯穿。在喷管410上连接有气体供给管310，在喷管420上连接有气体供给管320，在喷管430上连接有气体供给管330(图2中省略了气体供给管310及喷管410)。
[0023]气体供给管310的下游侧的端部与喷管410的端部连接。喷管410设置为，在反应管203的内壁与晶圆200之间的圆弧状的空间内，从反应管203的内壁的下部沿着上部朝向晶圆200的积载方向上方立起。喷管410作为L字型的长喷管而构成。在喷管410的侧面设有供给原料气体的多个气体供给孔411。气体供给孔411在从下部到上部的范围内具有相同的开口面积或具有对面积大小设置变化斜率的开口面积，以相同间距设置。
[0024]气体供给管320的下游侧的端部与喷管420的端部连接。喷管420设于作为气体扩散空间(放电室，放电空间)的缓冲室423内。在缓冲室423内还设有电极保护管451、452。喷管420、电极保护管451、电极保护管452在缓冲室423内以此顺序配置。
[0025]缓冲室423由反应管203的内壁和缓冲室壁424形成。缓冲室壁424在反应管203的
内壁与晶圆200之间的圆弧状的空间内，沿着晶圆200的积载方向设于从反应管203内壁的下部到上部的部分。在缓冲室壁424的与晶圆200相邻的壁上设有供给气体的气体供给孔425。气体供给孔425设在电极保护管451与电极保护管452之间。气体供给孔425以朝向反应管203的中心的方式开口。气体供给孔425在从反应管203的下部到上部的范围设有多个，各自具有相同的开口面积，并以相同间距设置。
[0026]喷管420从反应管203的内壁的下部沿着上部以朝向晶圆200的积载方向上方立起的方式设于缓冲室423的一端侧。喷管420作为L字型的长喷管而构成。在喷管420的侧面设有供给气体的气体供给孔421。气体供给孔421以朝向缓冲室423的中心的方式开口。气体供给孔421与缓冲室423的气体供给孔425同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置用遮蔽件，其特征在于，具备：圆弧状的底板；从所述底板直立的多个支柱；以及由所述多个支柱沿垂直方向以多层支承的圆弧状的多个隔断板。2.根据权利要求1所述的基板处理装置用遮蔽件，其特征在于，所述多个隔断板的轮廓与所述底板的轮廓相同或比所述底板的轮廓小。3.根据权利要求2所述的基板处理装置用遮蔽件，其特征在于，在基板处理装置的反应管内配置有晶舟支承台，所述多个隔断板配置在具有筒状外形的所述晶舟支承台与所述反应管之间。4.根据权利要求3所述的基板处理装置用遮蔽件，其特征在于，所述多个隔断板形成为具有内径大于所述晶舟支承台的外径且外径小于所述反应管的内径的规定宽度的圆弧状。5.根据权利要求4所述的基板处理装置用遮蔽件，其特征在于，所述多个隔断板在两端以宽度变小的方式形成有倒角。6.根据权利要求4所述的基板处理装置用遮蔽件，其特征在于，所述多个隔断板的圆弧为180度。7.根据权利要求3所述的基板处理装置用遮蔽件，其特征在于，所述反应管具有向内侧突出的缓冲室、和设在比所述缓冲室的下端低的位置的排气口...

【专利技术属性】
技术研发人员：森田慎也，中嶋诚世，村田慧，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：新型
国别省市：