衬底处理设备制造技术

一种具有简化排气结构的衬底处理设备包括：衬底支撑单元，其配置为支撑衬底；衬底支撑单元上的第一盖，该第一盖包括至少一个处理单元；第一盖下方的第二盖，第二盖包括分隔壁；以及布置在第一盖和第二盖下方的支撑件，该支撑件包括开口和开口上的座部，其中第二盖在支撑件的座部上。件的座部上。件的座部上。

【技术实现步骤摘要】
衬底处理设备


[0001]一个或多个实施例涉及一种衬底处理设备，更具体地，涉及一种具有简化排气结构同时防止产生寄生等离子体的衬底处理设备。

技术介绍

[0002]在半导体沉积过程中，等离子体处理可以在比热处理更低的温度下进行，从而减少对半导体器件的热冲击。此外，等离子体处理已经应用于许多过程，因为通过对半导体沉积器件施加较少的热冲击，可以提高器件的耐用性和部件的寿命。
[0003]在使用等离子体的沉积过程中，通过向供应到反应空间的反应气体施加RF功率并电离反应气体来产生等离子体。电离的反应气体被激活以与衬底反应，从而在衬底上形成薄膜。韩国专利公开号10
‑
2019
‑
0032077和韩国注册号10
‑
1680379公开了使用这种等离子体的沉积过程。
[0004]为了最大化等离子体的效率，需要在反应空间中的衬底上形成等离子体。然而，在除反应空间之外的区域比如排气管线中产生的寄生等离子体导致反应空间中等离子体处理的效率降低。

技术实现思路

[0005]一个或多个实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种衬底处理设备，包括：衬底支撑单元，其配置为支撑衬底；衬底支撑单元上的第一盖，该第一盖包括至少一个处理单元；第一盖下方的第二盖，第二盖包括分隔壁；以及布置在第一盖和第二盖下方的支撑件，该支撑件包括开口和开口上的座部，其中第二盖在支撑件的座部上。2.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，在所述衬底支撑单元和处理单元之间形成反应空间，并且排气空间形成在所述第二盖和支撑件之间。3.根据权利要求2所述的衬底处理设备，其中，所述分隔壁的第一表面限定所述反应空间，并且所述分隔壁的第二表面限定所述排气空间。4.根据权利要求3所述的衬底处理设备，其中，所述排气空间布置成围绕所述反应空间，在所述分隔壁下方形成连接所述反应空间和排气空间的通道，并且所述反应空间中的气体通过所述通道、排气空间和开口排出到外部。5.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述第二盖可拆卸地固定到所述支撑件。6.根据权利要求5所述的衬底处理设备，其中，所述支撑件的座部包括台阶结构，并且所述第二盖布置成插入到台阶结构中。7.根据权利要求5所述的衬底处理设备，还包括：连接器，其配置为将所述第二盖连接到所述支撑件。8.根据权利要求7所述的衬底处理设备，其中，所述连接器包括从所述支撑件的上表面延伸到所述第二盖的上表面的盖部分，并且所述第二盖的一部分布置成插入到所述盖部分和支撑件之间的空间中。9.根据权利要求7所述的衬底处理设备，其中，所述连接器包括从所述第二盖延伸的突起，并且所述突起布置成插入到设置在所述支撑件中的凹槽中。10.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述第二盖还包括从所述分隔壁延伸并提供与所述处理单元的接触表面的连接壁，并且所述连接壁的下表面布置成接触所述座部的上表面。11.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑元基，全然孮，DJ朴，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：