半导体零部件、等离子体处理装置及耐腐蚀涂层形成方法制造方法及图纸

一种半导体零部件、等离子体处理装置及耐腐蚀涂层形成方法，其中，所述半导体零部件包括：半导体零部件本体；耐腐蚀涂层，位于所述半导体零部件本体的表面，由稀土元素氟氧化物的结晶相和非晶相组成，且所述结晶相与非晶相位于同一层，非晶相弥散在结晶相中。所述半导体零部件应用在先进的制程中能够降低颗粒污染问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体零部件、等离子体处理装置及耐腐蚀涂层形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体零部件、等离子体处理装置及耐腐蚀涂层形成方法。

技术介绍

[0002]等离子体蚀刻工艺在集成电路制造领域发挥了关键作用。最新的5nm制程中等离子体刻蚀工艺步骤数占总比已提升至17％以上。先进刻蚀制程工艺的功率和步骤的大幅提升，要求等离子体刻蚀腔室内的零部件具有更高的耐等离子体物理轰击及化学腐蚀性能，产生更少的微小颗粒污染及金属污染源，进一步保障刻蚀设备工艺的稳定性和可重复性。
[0003]目前，在5nm或3nm及以下的制程中，存在着苛刻的颗粒污染要求，除了在整个零部件的生命周期内，要求小于28nm的颗粒小于10颗，而且要求贴地率越小越好，即0@28nm的颗粒的概率。为了满足不断缩小的线宽要求，等离子体刻蚀制程工艺中采用的功率和步骤大幅提升。而目前的涂层在先进制程(5nm及以下)中逐渐出现失效，存在微小颗粒污染，不能很好的满足先进制程的需求。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体零部件、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体零部件，其特征在于，包括：半导体零部件本体；耐腐蚀涂层，位于所述半导体零部件本体的表面，由稀土元素氟氧化物的结晶相和非晶相组成，且所述结晶相与非晶相位于同一层，非晶相弥散在结晶相中。2.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层为结晶结构。3.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层稀土元素氟氧化物的稀土元素包括Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu中至少一种。4.如权利要求3所述的半导体零部件，其特征在于，所述同一层的结晶相与非晶相的稀土元素相同。5.如权利要求3所述的半导体零部件，其特征在于，所述同一层的结晶相与非晶相的稀土元素不相同。6.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层的厚度为0.01微米～200微米。7.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述非晶相位于结晶相的表面和结晶相的本体中。8.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述半导体零部件本体的材料包括：铝合金、碳化硅、硅、石英或陶瓷等中的至少一种。9.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层的致密度为98％～100％。10.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：反应腔，其内为等离子体环境；如权利要求1至权利要求9任一项所述半导体零部件，位于所述反应腔内，暴露于所述等离子体环境中。11.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体环境中含有氟、氯或氧中的至少一种。12.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置为等离子体刻蚀装置或者等离子体清洁装置。13.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，当所述等离子体刻蚀装置为电感耦合等离子体刻蚀装置时，所述零部件包括：陶瓷板、内衬套、气体喷嘴、气体分配板、气管法兰、静电吸盘组件、覆盖环、聚焦环、绝缘环或等离子体约束装置中的至少一种。14.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，当等离子体刻蚀装置为电容耦合等离子体刻蚀装置时，所述零部件包括：喷淋头、上接地环、移动环、气体分配板、气体缓冲板、静电吸盘组件、下接地环、覆盖环、聚焦环、绝缘环、可升降隔离环或等离子体约束装置中的至少一种。15.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述反应腔内还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：段蛟，孙祥，杨桂林，陈星建，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：