【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】空间控制等离子体
[0001]本专利技术涉及等离子体输送设备,特别是包括如下组件的等离子体输送设备:等离子体源,其设置在输送设备的外表面中,该外表面被布置成面向待处理的基板;传送机构,被配置为相对于彼此传送基板和外表面;该等离子体源包括:气体入口,用于向等离子体生成空间提供气流;等离子体生成空间,其流体耦合到布置在外表面中的至少一个等离子体输送口,其中,等离子体生成空间由工作电极和对电极的外表面界定;包括介电层的工作电极;以及至少一个等离子体排气口,其设置在外表面上并且远离等离子体输送口,以经由等离子体排气口排出沿着外表面流动的等离子体。从WO2015199539可知这种设备。
技术介绍
[0002]表面的等离子体处理具有许多有用的应用,包括表面的放电、表面能量的改变改善材料作为涂料胶和其他涂层的润湿性或附着力、表面上细菌细胞的清洁和/或失活以及作为用于诸如半导体工业中使用的表面处理的较大组件的一部分,例如化学气相沉积、等离子体蚀刻、原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)设备。使用来自入口的合适的气流,在这些空间中产生的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子体输送设备,包括:等离子体源,所述等离子体源设置在所述输送设备的外表面中,所述外表面被布置成面向待处理的基板;传送机构,所述传送机构被配置为相对于彼此传送所述基板和所述外表面;所述等离子体源包括:气体入口,用于向等离子体生成空间提供气流;所述等离子体生成空间,所述等离子体生成空间流体耦合到布置在所述外表面中的至少一个等离子体输送口,其中,所述等离子体生成空间由工作电极和对电极的外表面界定;包括介电层的所述工作电极;未被介电材料层覆盖的所述对电极;至少一个等离子体排气口,所述至少一个等离子体排气口设置在所述外表面中并且远离所述等离子体输送口,以经由所述等离子体排气口排出沿所述外表面流动的等离子体,其中,所述至少一个等离子体输送口和至少一个等离子体排气口被布置成提供沿相反方向流动的至少两个连续的等离子体流,每个等离子体流由至少两个工作电极中的相应一个工作电极产生;以及开关电路,所述开关电路用于向所述至少两个工作电极可切换地提供电压,以选择性地接通或断开所述等离子体流中的至少一个等离子体流,其中所述开关电路与所述传送机构协同操作。2.根据权利要求1所述的等离子体输送设备,其中,所述等离子体排气口和等离子体输送口由在工作电极的厚度上隔开的狭缝形成。3.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体输送设备,其中,等离子体排气口形成在多个等离子体输送口的中心。4.根据权利要求3所述的等离子体输送设备,其中,所述等离子体输送口各自包括被布置在所述等离子体排气口的相对侧上的工作电极。5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:伊夫,
申请(专利权)人:荷兰应用自然科学研究组织TNO,
类型:发明
国别省市:
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