与非闪存器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种与非（ＮＡＮＤ）闪存器及其制造方法。源和漏选择晶体管栅极凹进低于半导体衬底的有源区。所述源和漏选择晶体管栅极的有效沟道长度长于存储单元栅极的沟道长度。因此，可以减少所述选择晶体管的源区和漏区之间的电场。因此可能防止在邻近非选（ｎｏｎ－ｓｅｌｅｃｔｅｄ）单元串中的源和漏选择晶体管的边缘存储单元中发生程序干扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种与非(NAND)闪存器及其制造方法。更具体而言，本专利技术涉及在NAND闪存器中防止在邻近漏选择晶体管和源选择晶体管的存储单元中发生程序干扰。
技术介绍
闪存是非易失存储型，其中甚至在关掉电源时可以储存数据。闪存可以是电可编程可擦除的，并且在正则区间(regular interval)不需要重写数据的刷新功能。“编程”指的是把数据编程进存储单元的操作，“擦除”指的是从存储单元擦除数据的操作。根据单元的结构和操作条件，闪存器主要可以分类为与或(NOR)闪存器和与非(NAND)闪存器。在NOR闪存器中，每个存储单元晶体管的源极连接到地端(VSS)以使能用于预定地址的编程和擦除功能。因此，NOR闪存器已经主要用于要求高速操作的应用领域。另一方面，在NAND闪存器中，多个存储单元串联以形成一串。一个串连接到源和漏。NAND闪存器已经主要用于高集成数据保存相关领域。图1是常规NAND闪存器的电路布线图。参照图1，在漏选择晶体管DST和源选择晶体管SST之间串联了32个存储单元MC0到MC31的。应该认识到的是，考虑到器件和密度，可以串联16或64个存储单元。在图1中，32本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种与非闪存器，包括：漏和源选择晶体管栅极，每个栅极具有在半导体衬底的有源区下面延伸的部分；和存储单元栅极，形成在所述源选择晶体管栅极和漏选择晶体管栅极之间的有源区上，其中沿所述凹入的源和漏选择晶体管栅极纵向的沟道长 度大于存储单元栅极的沟道长度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：严在哲，金南经，金世埈，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]