制造GOI半导体结构的方法及使用这些方法制造的半导体结构技术

一种半导体结构包括单晶体含锗层，优选基本上纯锗，衬底，以及将含锗层与衬底分开的掩埋绝缘层。多孔层，其可以是多孔硅，在衬底上形成，而含锗层在多孔硅层上形成。可以将多孔层转变为提供掩埋绝缘层的氧化层。作为选择，可以将含锗层从多孔层转移到另一个衬底上的绝缘层。转移后，绝缘层掩埋在后一衬底和含锗层之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及半导体结构和方法，具体涉及制造绝缘体上锗半导体结构的方法和使用这些方法制造的半导体结构。
技术介绍
绝缘体上锗(GOI)衬底在未来互补型金属氧化物半导体(CMOS)按比例缩小中扮演着重要的角色。在半导体界，锗(Ge)被广泛认为比硅(Si)对于电子和空穴具有较高载流子迁移率，以及有利于形成浅结的较低接触电阻和较低掺杂剂激活温度。对于在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中用作栅极绝缘体的介电常数比氧化硅(SiO2)大的高-k介质，其发展被期待提供对于通常低质量的氧化锗的一种解决方案，很久以来氧化锗对于器件制造中锗的利用具有巨大的阻碍。MOSFET可以使用体或绝缘体上硅(SOI)衬底制造。SOI衬底的使用降低了寄生结电容，并允许较大沟道电流，还允许比在体硅晶片中制造的类似器件有较快速度。在SOI衬底上形成的MOSFET比在常规体衬底上形成的类似器件具有很多附加优势，例如消除闭锁(latch-up)效应，提高耐辐射性，以及简化器件隔离和制造。利用SOI衬底获得的性能提高的MOSFET器件仍期待使用GOI衬底。在硅和锗之间的大晶格常数失配排除了在单晶硅上直接生长本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造用于形成绝缘体上锗衬底的半导体结构的方法，包括：在第一衬底上形成多孔层；以及在所述多孔层上形成含锗层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：程慷果，JA曼德尔曼，BJ格里恩，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]