金属-氧化物-金属电容结构制造技术

本发明专利技术提供一种金属－氧化物－金属电容结构。此电容结构包括：一介电层、一第一网状金属层以及一第二网状金属层。第一及第二网状金属层嵌入于介电层，且第二网状金属层平行堆叠于第一网状金属层上方。每一网状金属层具有排列成一阵列的多个开口。第一网状金属层中的网交点分别对应第二网状金属层中的开口，且第二网状金属层中的网交点分别对应于第一网状金属层中的开口。本发明专利技术所述的金属－氧化物－金属电容结构，可有效改善制程梯度变异及线性度，而进一步提升集成电路的效能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种集成电路设计，特别是有关于一种可具有极小梯度变化(minimized gradient variation)特性及线性度 (linearity)的金属-氧化物-金属电容(MOM)结构。
技术介绍
许多数字及模拟部件及电路已成功地运用于半导体集成电 路，例如射频(radio-fr叫uency, RF )电^各或混合信号集成电 3各(mixed-signal integrated circuit, MSIC )。 上述部寸牛包含了 被动元件，例如电阻、电容或电感等等。典型的半导体集成电 路包含一硅基底。 一层以上的介电层设置于基底上，且一层以 上的金属层设置于介电层中。这些金属层可通过现行的半导体 制程技术而形成晶片内建部件，例如晶片内建(on-chip)金属 -纟色缘-金属(metal-insulator-metal, MIM )电容元件或是金 属-氧化物-金属(metal-oxide-metal， MOM )。典型的金属-绝缘-金属(MIM)电容元件包括一金属层 及一导电平板，该导电平板位于上述金属层下方且相互平行， 以及一介电材料层，其介于上述导电平才反与上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属－氧化物－金属电容结构，其特征在于，包括：　一介电层，设置于一基底上；　一第一网状金属层，嵌入于该介电层的一第一层位，且具有排列成一阵列的多个第一开口；以及　一第二网状金属层，嵌入于高于该介电层的该第一层位的一第二层位，且具有排列成一阵列的多个第二开口，其中该第一网状金属层中的多个第一网交点分别对应于所述第二开口，且该第二网状金属层中的多个第二网交点分别对应于所述第一开口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林小琪，
申请(专利权)人：威盛电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]