【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及包含MIM ( Metal-Insulator-Metal)电容器的半导体装置及 其制造方法，该MIM电容器为金属-绝缘膜-金属结构的电容元件，在两 层金属层间夹有电介质膜。
技术介绍
近年来，模拟器件与CMOS逻辑器件的单片化研究不断开展，CMOS 逻辑器件的微细化也逐年推进。当MOS晶体管的栅长为约O.l)am以下时， 需要进一步减小配线电阻。因此，使用低电阻材料Cu (铜)作为金属配线 材料，将大马士革工艺(夕、'7少乂7。口ir7)进行实用化，作为金属配线的 形成方法。随着模拟器件与CMOS逻辑器件的单片化和Cu配线的应用，搭载于模 拟器件的MIM电容器的结构出现种种问题。而且，在通过大马士革工艺形 成的MIM电容器的电极中，也出现由大马士革工艺引起的问题。这里所说 的问题可以举出由凹陷(X^ y、乂y夕、')、侵蚀(工口一夕3 乂)现象引起 的MIM电容器下部电极的平坦性恶化。在以通过大马士革工艺形成的Cu配线作为电极的模拟器件的MIM电 容器中，如现有例1 (日本公开专利文献特开2001 - 237375号)所示， 特别是为了解决大马士...
【技术保护点】
一种半导体装置，包括半导体衬底和ＭＩＭ电容器， 所述ＭＩＭ电容器包括： 第一绝缘膜，设置在所述半导体衬底上； 第一导电膜，由比所述第一绝缘膜的研磨速度慢的材料构成，埋入配置在所述第一绝缘膜的规定区域； 多条沟，贯通所 述第一导电膜并到达所述第一绝缘膜； 金属配线，以与所述第一导电膜相接触的状态填充所述沟中的每一条； 电介质膜，设置在所述金属配线和所述第一导电膜之上；和 第二导电膜，设置在所述电介质膜上， 由所述金属配线和所述第一导 电膜构成所述ＭＩＭ电容器的下部电极， 由所述电介质膜...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大谷到，林慎一郎，西浦信二，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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