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金属-氧化物-金属电容结构制造技术
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文档序号:3233654
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本发明提供一种金属-氧化物-金属电容结构。此电容结构包括:一介电层、一第一网状金属层以及一第二网状金属层。第一及第二网状金属层嵌入于介电层,且第二网状金属层平行堆叠于第一网状金属层上方。每一网状金属层具有排列成一阵列的多个开口。第一网状金属...
该专利属于威盛电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过威盛电子股份有限公司授权不得商用。
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