半导体器件离子注入工艺的优化方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件离子注入工艺的优化方法，该方法采用材料芯片实验方法，对半导体制程中离子注入工艺条件进行优化，可以加速器件开发速度和节省晶片数量。该方法包括：在晶片上覆盖光刻胶；选择实验区域进行第一次注入区域的选择性曝光和显影；在所述被暴露区域进行第一次离子注入；去除光刻胶；在所述晶片上的实验区域覆盖光刻胶；进行第二次注入区域的选择性曝光和显影；在所述被暴露区域进行第二次离子注入；去除光刻胶；依此，进行需要的第Ｎ次离子注入，获得若干组注入条件不同的芯片组，通过收集性能参数优化离子注入工艺条件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的制作工艺的优化方法，特别是涉及采用材料 芯片方法进行。
技术介绍
半导体器件的制作需要经过大量的制程步骤，如材料淀积，以及材料层的刻蚀，离子注入掺杂等。随着器件尺寸降到深次微米，如65nm或45nm， 为了满足设计目标，需要开发或优化非常多的器件和过程的参数，如N/P 型MOS器件的阱制程和延伸的制程，包括离子注入能量、离子注入剂量 以及离子注入角度等。这种工艺条件的优化需要非常大量的实验。用于初期的生物实验中的材料芯片方法可以实现在一个芯片上进行 大量的实验。为了提高材料科学的研究效率，美国劳伦斯一伯克莱国家实验室的 Xiang 禾卩 Schultz ( Xiang XD, Sun X， Briceno G et al, Science, 1995，268(5218):1738-1740)借鉴生物免疫系统对抗入侵病毒时在短时间内 生成大量不同抗体，从中发现那些对病毒杀伤力最大者加以大量繁殖的模 式，提出了新材料合成和优化的集成材料芯片方法，并成功地将其应用于 高温超导材料、磁阻材料、紫外发光材料、介电/铁电材料等的研究，进而 发现并优化了许多性能优异的新本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体离子注入工艺的优化方法，包括如下步骤：　在晶片上或选定实验区域覆盖光刻胶；　进行第一次注入区域的选择性曝光和显影；　在显影后被暴露的区域进行第一次离子注入；　去除光刻胶；　在所述晶片上或选定实验区域再 覆盖光刻胶；　进行第二次注入区域的选择性曝光和显影；　在显影后被暴露的区域进行第二次离子注入；　去除光刻胶；　依此，进行需要的第Ｎ次离子注入，获得若干组注入条件不同的芯片组。

【技术特征摘要】
1. 一种半导体离子注入工艺的优化方法，包括如下步骤在晶片上或选定实验区域覆盖光刻胶；进行第一次注入区域的选择性曝光和显影；在显影后被暴露的区域进行第一次离子注入；去除光刻胶；在所述晶片上或选定实验区域再覆盖光刻胶；进行第二次注入区域的选择性曝光和显影；在显影后被暴露的区域进行第二次离子注入；去除光刻胶；依此，进行需要的第N次离子注入，获得若干组注入条件不同的芯片组。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的实验区域是整 个晶片或晶片上的部分区域。3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，同时进行集成电路工 艺中离子注入窗口的光刻和材料芯片实验区域的光刻。4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当选择曝光的多次注入 区域完全相同时，采用同一次曝光。5. 根据权利要求1所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：居建华，余兴，仇志军，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]