【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及通常用于半导体装置制作的离子注入，更具体而言 涉及在离子注入过程中通过引入气体而减轻污染和/或改变目标装置的表面特性。
技术介绍
离子注入是通常采用于半导体装置制造的物理工艺，用以将掺杂剂 选择性地注入半导体和/或晶片材料中。因此，注入的动作和掺杂剂与半 导体材料之间的化学作用并不相关。对于离子注入，掺杂剂原子/分子被 电离、加速、形成离子束、分析、扫过晶片上或者该晶片通过该离子束 被扫过。摻杂剂离子物理上撞击晶片，进入表面并且停止在表面下方， 掺杂剂离子在表面下方的深度和掺杂剂离子的能量有关。离子注入系统为精密子系统的集合，每个子系统对掺杂剂离子实施 特定动作。气体或固体形式的掺杂剂元素置于电离室的内部，并且被合 适的电离工艺电离。在一个示例性工艺中，电离室维持在低压状态(真 空)。灯丝置于该电离室内，并且被加热至从该灯丝源产生电子的温度。 带负电的电子被吸引至同样位于该电离室内的相反电性的阳极.在从灯 丝行进至阳极过程中，电子碰撞掺杂剂源元素(例如，分子或原子)， 并且从分子中的元素产生大量带正电的离子。一般来说，除了所期望的掺杂剂离子之外...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种离子注入系统，包括离子源，用以产生离子束；束线组件，用以将所述离子束导向目标装置；处理室，含有用于接收所述离子束的目标装置；以及气体导入系统，耦合到所述处理室，用以提供气体输入至所述处理室。2. 如权利要求1所述的离子注入系统，其中所述气体导入系统提供大 气气体给所述处理室。3. 如权利要求1所述的离子注入系统，其中所述气体导入系统提供反 应气体给所述处理室。4. 如权利要求1所述的离子注入系统，其中所述气体导入系统可工作 以提供气体至所述处理室中所述目标装置附近，以便减轻因污染物造成 的所述目标装置的污染，和/或改变处理环境和/或所述目标装置的既有性 质以变更其物理或化学状态。5. 如权利要求3所述的系统，其中所述反应气体包括氧气和/或水蒸气。6. 如权利要求1所述的系统，其中所述气体导入系统进一步包括 源贮存器；以及入口，用以将气体从所述源贮存器传送至所述处理室。7. 如权利要求6所述的系统，其中所述源贮存器含有气体或蒸气形式 的反应材料，其压力足以提供气流给所述处理室。8. 如权利要求6所述的系统，其中所述气体导入系统进一步包括耦合 到所述源贮存器的蒸发或升华系统，且所述源贮存器含有液体或固体形 式的反应材料，所述反应材料能够在足以提供气流给所述处理室的压力 被蒸发或升华。9. 如权利要求1所述的系统，其中所述处理室进一步包括入口阀，用 以选择性地将所述气体传送至所述处理室。10. 如权利要求1所述的系统，进一步包括真空泵，所述真空泵以可 控制的方式移除所述处理室中的废气。11. 如权利要求1所述的系统，进一步包括控制器，所述控制器耦合到所述气体导入系统以调整所述气体的组成与流速。12. 如权利要求11所述的系统，进一步包括气体分析器，用以测量所 述处理室内的部分真空压力和/或组成，并且依据所述部分真空压力和/ 或组成产生反馈信号。13. 如权利要求12所述的系统，其中所述控制器根据所述气体分析器 产生的反馈信号来调整所述气体的组成和/或流速。14. 如权利要求1所述的系统，其中所述离子束包括带状束或笔状束。15. 如权利要求1所述的系统，其中所述处理室包括目标装置处置系 统，用以于单一批次中将多个目标装置传送至所述离子束。16....
【专利技术属性】
技术研发人员：R·里斯，S·康德拉腾科，乐金久，L·万赖特，G·蔡，
申请(专利权)人：艾克塞利斯技术公司，
类型：发明
国别省市：
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