【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及半导体制造技术。
技术介绍
在半导体制造技术中，掩膜或晶片的关键尺寸(⑶)由于工艺技术而不断减小。将对于不同构图(如线宽或线间距)的CD的一致性，称为CD—致性，保持在可接受的水平是 很重要的。然而，CD偏差仍然可能对之后的工艺有不利影响。例如，由于栅宽的CD偏差， 形成各种掺杂特征如晶体管的轻掺杂的源/漏特征的离子注入工艺可能在半导体晶片上 是不一致的。因此，晶体管的性能特性如阈值电压可根据管芯的不同而出现波动，这将会导 致器件性能不良和成品率低。
技术实现思路
本专利技术的一个较广的形式包括一种控制离子注入工艺的方法。该方法包括确定半 导体晶片的关键尺寸(CD)偏差，在离子注入过程中移动半导体晶片，以及控制半导体晶片 的移动速度以使得注入到半导体晶片的注入量基于CD偏差而变化。本专利技术的另一个较广的形式包括一种控制离子注入工艺的方法。该方法包括提供 半导体晶片，其具有形成在其上的多个特征，确定置于半导体晶片的第一区域内中的特征 的第一关键尺寸(CD)和置于半导体晶片的第二区域内中的特征的第二关键尺寸(CD)，在 以二维模式扫描半导体晶片时，...
【技术保护点】
一种控制离子注入工艺的方法，包括：确定半导体晶片的关键尺寸ＣＤ的偏差；在离子注入过程中以二维模式移动所述半导体晶片；以及控制所述半导体晶片的移动速度以使得注入到所述半导体晶片中的注入量基于所述ＣＤ偏差而变化。
【技术特征摘要】
US 2009-2-27 12/394,201一种控制离子注入工艺的方法，包括确定半导体晶片的关键尺寸CD的偏差；在离子注入过程中以二维模式移动所述半导体晶片；以及控制所述半导体晶片的移动速度以使得注入到所述半导体晶片中的注入量基于所述CD偏差而变化。2.根据权利要求1所述的方法，其中控制所述速度包括 增加所述速度以降低注入到所述半导体晶片的注入量；以及 降低所述速度以增加注入到所述半导体晶片的注入量。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述速度为线速度V，所述线速度V基本上等于 _离子束流ω_电荷态(η) *电荷(e) *配方量(D) *步长(Y),其中所述移动所述半导体晶片包括以角速度W移动所述半导体晶片，所述角速度W基 本等于:V*(l/R)*(180/pi)。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述移动所述半导体晶片还包括将所述半导体晶片固定在平台上，所述半导体晶片的中心部分基本与所述平台的中心 部分对准；提供与所述平台的中心部分相连接的臂，所述臂具有长度R ；以及 基于所述被注入的半导体晶片的位置调整所述臂的所述角速度； 其中当所述半导体晶片的底部部分被注入时，通过因数(R_rl)/R调整所述臂的角速 度，所述底部部分从所述半导体晶片的中心部分沿第一径向延伸第一距离(rl)；其中当所述半导体晶片的顶部部分被注入时，通过因数(R+r2)/R调整所述臂的角速 度(w)，所述顶部部分从所述半导体晶片的中心部分沿与所述第一径向相对的第二径向延 伸第二距离(r2)。5.根据权利要求1所述的方法，其中将由确定所述CD偏差而获得的信息提供到先进过 程控制(APC)系统以控制所述半导体晶片移动的速度。6.根据权利要求5所述的方法，还包括通过所述APC系统基于所述CD偏差的信息控制 所述离子注入工艺的离子束流剖面，其中所述半导体晶片对应于所述CD偏差被划分为多个区域；以及 其中所述控制所述离子束流剖面包括调整离子束峰值大小以调节注入到所述多个区 域的注入量。7.—种控制离子注入工艺的方法，包括 提供半导体晶片，其具有形成在其上的多个特征；确定位于所述半导体晶片的第一区域中的特征的第一关键尺寸(CD)和位于所述半导 体晶片的第二区域中的特征的第二关键尺寸(CD)；在所述半导体晶片以二维模式被扫描时，...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑逎汉，陈其贤，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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