不对称灵敏放大器制造技术

一种用来判断存储单元状态的检测电路，包括灵敏放大器。灵敏放大器包括不均衡交叉耦合锁存器、其沟道耦合到位线ＢＬ与第一输出节点之间的第一栅极ＦＥＴ以及其沟道耦合到ＢＬＢ与第二输出节点之间的第二栅极ＦＥＴ。不均衡交叉耦合锁存器被包括位于第一输出节点与连接到电接地的使能ＦＥＴ之间的第一下拉ＦＥＴ，以及位于第二输出节点与使能ＦＥＴ之间的第二下拉ＦＥＴ。第二下拉ＦＥＴ与第二栅极ＦＥＴ的沟道宽度大于第一下拉ＦＥＴ的沟道宽度与第一栅极ＦＥＴ的沟道宽度，从而增强对连接到灵敏放大器的存储单元中保存的１和０的检测能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及一种半导体存储器件，尤其涉及判断存储器单元状态的检测电路。
技术介绍
半导体在集成电路中具有广泛应用，包括个人电脑、音频装置、视频装置、多媒体 装置、数字数据装置、通讯装置等等。在大量上述应用中使用的一种类型的半导体器件是半 导体存储装置，例如静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、只读存储 器(R0M)、闪存等等。 利用ROM的非易失性以及在无电源的情况下仍能够持续信息存储，因此半导体存 储器装置允许实现大量数据的存储。另一方面，随机存取存储器(RAM)可允许对其中保存 的信息进行快速和随机的存取，但是为易失性，因此需要电源和/或持续的周期更新来维 持信息完整。 半导体存储装置通常以单个存储单元组成的大型两维阵列设置。每行的存储单 元可以由行选择线(通常也称作为字线)进行选择，并且每列的存储单元可以由列选择线 (通常称作为位线)进行选择。位于有源字线和有源位线交叉部的存储单元可以具有写入 其中或者从中写出的信息。 从存储单元中读出信息或者向存储单元写入信息可以由灵敏放大器执行。例如，通过对连接到存储单元(该存储单元可以是位于有源字线和位线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种灵敏放大器，包括：耦合到位线ＢＬ和反位线ＢＬＢ上的不均衡交叉耦合锁存器ＩＣＬ，所述不均衡交叉耦合锁存器被配置用于在所述位线上的值与所述反位线ＢＬＢ上的值之间的差值超过阈值时输出逻辑低值，以及在所述差值不超过所述阈值时输出逻辑高值，所述不均衡交叉耦合锁存器包括：第一下拉场效应晶体管ＦＥＴ，所述第一下拉ＦＥＴ的沟道通过使能ＦＥＴ的沟道耦合在第一输出节点与电接地之间，以及第二下拉场效应晶体管ＦＥＴ，所述第二下拉ＦＥＴ的沟道通过所述使能ＦＥＴ的沟道耦合在第二输出节点与电接地之间；第一栅极ＦＥＴ，所述第一栅极ＦＥＴ的沟道耦合在所述ＢＬ与所述第一输出节点之间；以及第二栅极ＦＥＴ，所述第二栅极ＦＥＴ的沟...

【技术特征摘要】
US 2008-12-31 12/347,867一种灵敏放大器，包括耦合到位线BL和反位线BLB上的不均衡交叉耦合锁存器ICL，所述不均衡交叉耦合锁存器被配置用于在所述位线上的值与所述反位线BLB上的值之间的差值超过阈值时输出逻辑低值，以及在所述差值不超过所述阈值时输出逻辑高值，所述不均衡交叉耦合锁存器包括第一下拉场效应晶体管FET，所述第一下拉FET的沟道通过使能FET的沟道耦合在第一输出节点与电接地之间，以及第二下拉场效应晶体管FET，所述第二下拉FET的沟道通过所述使能FET的沟道耦合在第二输出节点与电接地之间；第一栅极FET，所述第一栅极FET的沟道耦合在所述BL与所述第一输出节点之间；以及第二栅极FET，所述第二栅极FET的沟道耦合在所述BLB与所述第二输出节点之间；其中所述第一下拉FET的栅极端耦合到所述第二输出节点上；其中所述第二下拉FET的栅极端耦合到所述第一输出节点上；其中所述第二下拉FET的沟道宽度大于所述第一下拉FET的沟道宽度；以及其中所述第二栅极FET的沟道宽度大于所述第一栅极FET的沟道宽度。2. 如权利要求1所述的灵敏放大器，其中所述不均衡交叉耦合锁存器还包括 第一上拉场效应晶体管FET，所述第一上拉FET的沟道耦合在电源电压与所述第一输出节点之间，以及第二上拉场效应晶体管FET，所述第二上拉FET的沟道耦合在所述电源电压与所述第 二输出节点之间。3. 如权利要求2所述的灵敏放大器，还包括被配置用于响应预充电控制信号在所述BL 和所述BLB上激活特定充电操作的预充电电路，所述预充电电路包括第一预充电FET，所述第一预充电FET的沟道耦合在所述第一上拉FET的栅极端与所述 第二上拉FET的栅极端之间；第二预充电FET，所述第二预充电FET的沟道耦合在所述电源电压与所述第一输出节 点之间；第三预充电FET，所述第三预充电FET的沟道耦合在所述电源电压与所述第二输出节 点之间；以及其中所述第一预充电FET、所述第二预充电FET以及所述第三预充电FET的栅极端耦合 到所述预充电控制信号。4. 如权利要求1所述的灵敏放大器，其中所述BLB耦合到所述电源电压。5. 如权利要求1所述的灵敏放大器，其中所述阈值电压为灵敏放大器偏移电压。6. 如权利要求1所述的灵敏放大器，其中所述第二下拉FET包括多个并行排列的下拉 FET ;所述第二栅极FET包括多个并行排列的栅极FET。7. —种不对称灵敏放大器，包括第一上拉场效应晶体管FET，所述第一上拉FET的沟道耦合在电源电压与第一输出节 点之间；第一下拉场效应晶体管FET，所述第一下拉FET的沟道通过使能FET的沟道耦合在所述第一输出节点与电接地之间；第二上拉场效应晶体管FET，所述第二上拉FET的沟道耦合在所述电源电压与第二输 出节点之间。第二下拉场效应晶体管FET，所述第二下拉FET的沟道通过所述使能FET的沟道耦合在 所述第二输出节点与电接地之间；第一栅极FET，所述第一栅极FET的沟道耦合在数据输入与所述第一输出节点之间； 第二栅极FET，所述第二栅极FET的沟道耦合在所述电源电压与所述第二输出节点之间；第一预充电FET，所述第一预充电FET的沟道耦合在所述第一上拉FET的栅极端与所述 第二上拉FET的栅极端之间；其中所述第一上拉FET的栅极端与所述第一下拉FET的栅极端耦合到所述第二输出节 点上；其中所述第二上拉FET的栅极端与所述第二下拉FET的栅极端耦合到所述第一输出节 点上；其中所述第一栅极FET的栅极端与所述第二栅极FET的栅极端耦合到栅极控制信号上；其中所述预充电FET的栅极端耦合到预充电控制信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：林书玄，陈彝梓，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]