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本发明涉及一种半导体器件离子注入工艺的优化方法，该方法采用材料芯片实验方法，对半导体制程中离子注入工艺条件进行优化，可以加速器件开发速度和节省晶片数量。该方法包括：在晶片上覆盖光刻胶；选择实验区域进行第一次注入区域的选择性曝光和显影；在所述...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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