一种用于阻挡层抛光的化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术公开了一种用于阻挡层抛光的化学机械抛光浆料，其含有：研磨颗粒、氧化剂、成膜剂、有机螯合剂、稳定剂和水。本发明专利技术的抛光液具有较高的Ｔａ／ＴａＮ去除速率，可适应不同抛光步骤中对封盖材料（如ＴＥＯＳ）、绝缘层材料（如ＢＤ）和金属Ｃｕ的去除速率选择比要求，且可保证抛光后晶圆表面缺陷和污染物少，稳定性高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种抛光液，具体的涉及一种阻挡层抛光的化学机械抛光液。
技术介绍
随着半导体器件特征尺寸的縮小，阻挡层越来越薄，90nrn以下工艺的阻挡 层厚度只有100~250A，新型的绝缘层材料以及封盖层材料不断应用于各种制程， 例如低k材料，包括BD (Black diamond)和Coral等已经得到工业应用的材料。 阻挡层的CMP对抛光液的要求逐步提高以适应其机械性能的改变。例如表面污 染物的精准控制，抛光选择比(尤其是TEOS和低k材料的选择比)，以及抛光 均一性问题，都是新一代阻挡层抛光液所面临的挑战。目前工业上还没有一种 产品能解决上述所有问题。USP6719920公开了一种阻挡层抛光液，其采用柠檬酸盐的硅基中性抛光液 进行阻挡层的抛光，但未报道图形晶片的抛光效果。USP6503418公开了一种包含有机添加剂的碱性阻挡层抛光液，抛光后的表 面污染物控制较好，但未报到不同材料的去除速率和抛光选择比。CNP02116761.3公开了一种超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽的化学 机械全局平面化抛光液，为碱性抛光液。该碱性抛光液存在着表面污染物难以 控制以及合适的氧化剂难以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于阻挡层抛光的化学机械抛光液，其特征在于含有：研磨颗粒、氧化剂、成膜剂、有机螯合剂、稳定剂和水。

【技术特征摘要】
1. 一种用于阻挡层抛光的化学机械抛光液，其特征在于含有研磨颗粒、氧化剂、成膜剂、有机螯合剂、稳定剂和水。2. 如权利要求1所述的抛光液，其特征在于所述的研磨颗粒选自二氧化硅、 氧化铝、氧化铈和聚合物颗粒中的一种或多种。3. 如权利要求1所述的抛光液，其特征在于所述的研磨颗粒的粒径为10~200證。4. 如权利要求l所述的抛光液，其特征在于所述的研磨颗粒的含量为质量百分比1 20%。5. 如权利要求1所述的抛光液，其特征在于所述的氧化剂选自过氧化氢、过 氧化氢脲、过氧乙酸、过氧化苯甲酰、过硫酸钾、过硫酸铵和硝酸铵中的一 种或多种。6. 如权利要求1所述的抛光液，其特征在于所述的氧化剂的含量为质量百分 比0.001~5%。7. 如权利要求1所述的抛光液，其特征在于所述的成膜剂为唑类有机物。8. 如权利要求7所述的抛光液，其特征在于所述的唑类有机物为三唑及其衍 生物、四唑及其衍生物和噻唑及其衍生物中的一种或多种。9. 如权利要求8所述的抛光液，其特征在于所述的三唑及其衍生物为苯并三 氮唑、卩引唑、苯并咪唑、H引哚、甲基苯三唑、羧基取代的苯并三唑甲酯、羧基取代的苯并三唑丁酯和羟基取代的苯并三唑中的一种或多种；所述的四唑 及其衍生物为l-H四氮唑、5-氨基四氮唑、5-甲基-四氮唑和l-苯基-5巯基四 氮唑中的一种或多种；所述的噻唑及其衍生物为2-巯基苯并噻唑和/或5-氨基-2巯基-l， 3， 4噻二唑。10. 如权利要求1所述的抛光液，其特征在于所述的成膜剂的含量为质量百分 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋伟红，姚颖，陈国栋，包建鑫，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]