对包含金属的表面采用卤素和卤化物盐类的平面化方法技术

一种平面化方法，其中包括提供包含金属的表面（优选包含Ⅷ族金属的表面，更优选包含铂的表面），在包括卤素和卤化物盐的平面化组合物存在下，将其放到与抛光表面接触的位置上。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是在半导体器件制造过程中，包含金属(优选包含第VIII族金属，更优选包含铂)的表面的平面化方法。
技术介绍
金属和金属氧化物的膜，特别是较重的第VIII族元素的膜，对于各种电子和电化学的应用日益重要。这至少是因为许多第VIII族金属的膜一般是不活泼的，能耐氧化或阻滞氧的扩散，而且是优良的导体。这些金属中某些金属的氧化物也具有这些性质，不过在程度上也许不同。因此，第VIII族金属、它们的合金、和金属氧化物的膜，特别是第二和第三行(row)金属(例如Ru、Os、Rh、Ir、Pd、和Pt)的膜，具有适合在集成电路中应用的各种性质。例如在集成电路中可以将它们用作例如阻挡层材料。它们特别适合在存储器件中用作介电材料和硅基片之间的阻挡层。而且，它们本身也适合在电容器中用作电容器板(即电极)。铂是用作高介电电容器电极的侯选材料之一。电容器是随机存取存储设备例如动态随机存取存储(DRAM)设备、静态随机存取存储(SRAM)设备、和现在的铁电存储(FE RAM)设备中基本的电荷存储器件，它们由二个导体，例如平行的金属或多晶硅电容器板组成，它们起电极的作用(即存储节点电极和单元板电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平面化方法，其中包括：将基片的包含金属的表面放到与抛光表面的界面上，其中包含金属的表面包括一种选自ⅧＢ族、ⅠＢ族的金属、和它们的组合；在界面附近提供平面化组合物；和使基片表面平面化；其中平面化组合物包括一 种包含卤素的化合物和卤化物盐。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：BA瓦尔茨特拉，
申请(专利权)人：微米技术有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]