含甲醇的二氧化硅基CMP组合物制造技术

技术编号:3201390 阅读:140 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种抛光组合物,包含:(a)二氧化硅磨料,(b)甲醇,和(c)液态载体,其中抛光组合物的pH值为约1-6,抛光组合物是胶态稳定。本发明专利技术还提供了利用抛光组合物抛光含硅基介电层的基片的方法。本发明专利技术进一步提供一种使磨料与甲醇接触而稳定化抛光组合物中的二氧化硅磨料的方法。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包含二氧化硅磨料的CMP抛光组合物以及利用这种抛光组合物抛光基片的方法。
技术介绍
用于平面化或者抛光基片表面的组合物和制备方法在现有技术中是已知的。抛光组合物(也称为抛光浆料)一般是在水溶液中含有磨料,它们是通过使表面与以抛光组合物饱和的抛光垫相接触而施加到表面上。典型的磨料包含二氧化硅、氧化铈、氧化铝、氧化锆、和氧化锡。例如,US5,527,423描述了一种化学-机械抛光金属层的方法,是使表面与抛光浆料接触,抛光浆料是在水性介质中包含高纯金属氧化物细颗粒。抛光浆料通常与抛光垫(例如抛光布或抛光圆盘)一起使用。合适的抛光垫公开于US6,062,968,6,117,000和6,126,532中,这些专利公开了具有开孔的多孔网状的烧结聚氨酯抛光垫的用途,以及US5,489,233中,公开了具有表面结构或图案的固态抛光垫的用途。另外,磨料可以掺入到抛光垫中。US5,958,794公开了固定的磨料抛光垫。常规的抛光体系和抛光方法在平面化半导体晶片时不完全令人满意。尤其是抛光组合物和抛光垫的抛光速度或抛光的选择性比所要求的低,其在化学-机械抛光半导体表面上使用时会使表面质量变本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抛光组合物,包含:    (a)二氧化硅磨料,    (b)甲醇,和    (c)液态载体,     其中抛光组合物的pH值为约1-6,二氧化硅磨料与甲醇之间的相互作用使抛光组合物呈胶态稳定性。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2002-3-5 10/092,4061.一种抛光组合物,包含(a)二氧化硅磨料,(b)甲醇,和(c)液态载体,其中抛光组合物的pH值为约1-6,二氧化硅磨料与甲醇之间的相互作用使抛光组合物呈胶态稳定性。2.根据权利要求1的抛光组合物,其中二氧化硅磨料选自热解法二氧化硅、胶态二氧化硅、涂覆二氧化硅的磨料颗粒和它们的混合物。3.根据权利要求1的抛光组合物,其中抛光组合物具有的pH值为约1.5-4。4.根据权利要求1的抛光组合物,其中液态载体包含水。5.根据权利要求1的抛光组合物,其中甲醇的存在量为约100-1500ppm。6.根据权利要求5的抛光组合物,其中甲醇的存在量为约100-800ppm。7.根据权利要求1的抛光组合物,其中二氧化硅磨料的存在量为约0.5-5重量%。8.根据权利要求5的抛光组合物,其中相对于每重量%的二氧化硅磨料,甲醇的量为约200-3000ppm。9...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗伯特瓦卡西
申请(专利权)人:卡伯特微电子公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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