【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于包装一个或多个半导体器件的封装,且更特别地 涉及具有衬底基座和散热块的模制塑料球栅阵列封装。
技术介绍
增强包装半导体器件的基于衬底的封装的热性能仍是一个挑战。典型的基于衬底的封装例如平面栅格阵列(land grid array)封装和 球栅阵列封装通常通过金属过孔散出热量。但是,该过孔的小表面积 限制了散热的量。已知如授予Medeiros等人的美国专利No.5,111,277 所公开的通过将散热片铜焊到贯穿封装基座的孔上来提高表面安装封 装的散热。包括散热片的封装衬底也在授予Mahulikar等人的美国专 利No.5,629,835中公开。在授予Mahulikar的美国专利No.5,559,306中公开了一种通过降 低自感和互感系数而提高模制塑料封装的电特性的方法。平行金属板 设置在封装主体内,半导体器件设置在这些平行金属板之间。但是,仍然存在对可低成本大量制造的具有改进散热的基于衬底 的封装的需要。
技术实现思路
根据本专利技术的第一实施例,提供一种包装一个或多个半导体器件 的阵列型封装。该封装包括绝缘衬底,该绝缘衬底具有对置的第一和 第二侧面、多个导电过孔和从该第 一侧面延伸到第二侧面的居中设置 的孔。散热块具有贯穿该孔的中间部分、与该村底的第一侧面相邻的 第一部分和与该衬底的第二侧面相邻的对置的第二部分,第一部分的 横截面面积大于孔的横截面面积。 一个或多个半导体器件接合到该散热块的第一部分上且与该导电过孔相互电连接。具有第一侧面和对置 的第二侧面的散热器与该半导体器件隔开且与该散热块大致平行,由 此该半导体器件设置在该散热器和散热 ...
【技术保护点】
一种用于包装一个或多个半导体器件(30)的阵列型封装(10),其特征在于: 绝缘衬底(12),该绝缘衬底具有对置的第一侧面(14)和第二侧面(16),所述绝缘衬底(12)还具有多个导电过孔(18)和从所述第一侧面(14)延伸到所述第二 侧面(16)的居中设置的孔(20); 散热块(22),该散热块具有贯穿所述孔(20)的中间部分(28)、与所述第一侧面(12)相邻的第一部分(24)、和与所述第二侧面(16)相邻的对置的第二部分(26),所述第一部分(24)具有比所述 孔(20)的横截面面积更大的横截面面积; 一个或多个半导体器件(30),所述一个或多个半导体器件接合到所述散热块(22)的所述第一部分(24)且与所述绝缘衬底(12)的所述第一侧面(14)上的所述导电过孔(18)相互电连接(32); 散热器(34),该散热器具有第一侧面(36)和对置的第二侧面(38),且与所述一个或多个半导体器件(30)间隔开并与所述散热块(22)大致平行,由此所述一个或多个半导体器件(30)设置在所述散热器(34)和所述散热块(22)之间;和 模制树脂(40) ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2006-6-8 60/811,847;US 2007-5-30 11/807,6501. 一种用于包装一个或多个半导体器件(30)的阵列型封装(10),其特征在于绝缘衬底(12),该绝缘衬底具有对置的第一侧面(14)和第二侧面(16),所述绝缘衬底(12)还具有多个导电过孔(18)和从所述第一侧面(14)延伸到所述第二侧面(16)的居中设置的孔(20);散热块(22),该散热块具有贯穿所述孔(20)的中间部分(28)、与所述第一侧面(12)相邻的第一部分(24)、和与所述第二侧面(16)相邻的对置的第二部分(26),所述第一部分(24)具有比所述孔(20)的横截面面积更大的横截面面积;一个或多个半导体器件(30),所述一个或多个半导体器件接合到所述散热块(22)的所述第一部分(24)且与所述绝缘衬底(12)的所述第一侧面(14)上的所述导电过孔(18)相互电连接(32);散热器(34),该散热器具有第一侧面(36)和对置的第二侧面(38),且与所述一个或多个半导体器件(30)间隔开并与所述散热块(22)大致平行,由此所述一个或多个半导体器件(30)设置在所述散热器(34)和所述散热块(22)之间;和模制树脂(40),该模制树脂封装所述一个或多个半导体器件(30),并至少封装所述衬底(12)的所述第一侧面(14)、所述散热块(34)的所述第一部分(36)和所述散热器(34)的所述第一侧面(36)。2. 如权利要求1所述的阵列型封装(IO),其特征在于焊球(42) 接合在所述衬底(12)的所述第二侧面(16)上的所述导电过孔(18) 上,与所述接合相对的所述焊球的点是大致共面的。3. 如权利要求2所述的阵列型封装(10),其特征在于所述散热 块(22)的所述第二部分(26)与所述焊球(42)的所述点大致共面。4. 如权利要求2所述的阵列型封装(10),其特征在于所述散热 块(22)由从铜、铝及其合金组成的组中选择的金属形成。5. 如权利要求4所述的阵列型封装(10),其特征在于所述散热 块(22)涂覆有另一种材料,以增强标记能力。6. 如权利要求5所述的阵列型封装(10),其特征在于所述散热 块(22)是涂覆有黑阳极处理层的铝合金。7. —种散热块阵列(44, 194),其特征在于绝缘衬底(12),该绝缘衬底具有对置的笫一侧面(14)和第二侧 面(16)以及设置成阵列的多个孔(20);多个相互连接的散热块(22),每个所述散热块(22)具有由中间 部分(28)分离的第一部分(24)和第二部分(26),其中所述中间部 分(28)贯穿所述多个孔(20)中的一个孔,且所述第一部分(24) 具有比所述多个孔(20)中的所述一个孔的周长更大的周长。8. 如权利要求7所述的散热块阵列(44, 194),其特征在于多 个连接杆(46)从每个散热块(22)的每个第一部分(24)的周边伸 出,且从一个所述散热块(22)伸出的连接杆(46)与从相邻散热块 (22)伸出的至少一个其他连接杆(46)在相互交叉点(48)处交叉。9. 如权利要求8所述的散热块阵列(44, 194),其特征在于在 所述相互交叉点(48)处减小所述多个连接杆(46)的厚度,以便于 切割。10. 如权利要求8所述的散热块阵列(194),其特征在于所述连 接杆(194)包括用于与散热器阵列(50)的连接杆(l卯)接合的特 征(192, 196)。11. 如权利要求10所述的散热块阵列(194 ),其特征在于所述特 征(192, 196)从由凸出部(192)、孔(196)及其组合组成的组中选 择。12. —种用于制造包装一个或多个半导体器件(30)的阵列型封 装(10)的方法,其特征在于以下步骤a)提供包含具有多个孔(20)的绝缘衬底(12)和多个相互连接 的散热块(22)的散热块阵列(44),所述散热块具有由贯穿所述多个 孔(20)中的一个孔的中间部分(28)分开的对置的第一部分(24)和第二部分(26),其中所述第一部分(24)具有比所述多个孔(20) 中的所述一个孔的周长更大的周长,多个连接杆(46)从所述周长伸 出,其中从一个所述散热块(22)伸出的连接杆(46)与从相邻散热 块(22)伸出的至少一个其他连接杆(46)在相互交叉点(48)处交叉;b )将所述一个或多个半导体器件(30 )接合到所述第一部分(24 ) 上并将所述一个或多个半导体器件(30)与所述绝缘衬底(12)的第 一侧面(14)上的导电过孔(18)相互电连接(32),所述导电过孔(18) 通过所述绝缘衬底(12)延伸到该绝缘村底的对置第二侧面(16);c) 提供散热器阵列(50),该散热器阵列具有多个从其周长延伸 的连接杆(52),其中从一个所述散热器(34)延伸的连接杆(52)与 从相邻散热器(34)延伸的至少一个其他连接杆(52)在相互交叉点(54)处交叉;d) 将所述散热块(22)的连接杆(46)接合(62)到所迷散热器 (34)的连接杆(52)上,使得所述一个或多个半导体器件(30)设置在所述散热块(22)中的一个和所述散热器(34)中的一个之间; 和e) 将所述一个或多个半导体器件(30)以及所述散热器(34)和 散热块(22)的至少一部分封装在模制树脂(40)中。13. 如权利要求12所述的方法,包括将所述阵列切割成单个构件 (10)的步骤。14. 如权利要求13所述的方法,其特征在于所述切割步骤在(a) 提供散热器阵列(44)的步骤和(b)接合所述一个或多个半导体器件(30)的步骤之间。15. 如权利要求13所述的方法,其特征在于所述切割步骤在(f) 封装步骤之后。16. 如权利要求13所述的方法,...
【专利技术属性】
技术研发人员:T勒恩,MJB拉莫斯,GK约奥,KK伦,RS撒恩安东尼奥,A苏巴吉奥,
申请(专利权)人:宇芯毛里求斯控股有限公司,
类型:发明
国别省市:MU[毛里求斯]
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