可避免锁死现象的静电放电装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术是有关于一种可避免锁死现象的静电放电装置，包括一Ｐ型基板、一Ｎ型井、一第一Ｎ＋型掺杂区、一第一Ｐ＋型掺杂区一第二Ｎ＋型掺杂区、一第二Ｐ＋型掺杂区、一第三Ｎ＋型掺杂区、一第三Ｐ＋型掺杂区、一第一电极以及一第二电极。该Ｎ型井是形成于该Ｐ型基板中。该第一Ｎ＋型掺杂区与该第一Ｐ＋型掺杂区均形成于该Ｎ型井中并相互以一第三场氧化层隔离。该第二Ｎ＋型掺杂区是形成于该第一Ｐ＋型掺杂区与一第一场氧化层之间。该第二Ｎ＋型掺杂区是与该第一Ｐ＋型掺杂区相邻接。当一电源电压未供应至该静电放电装置时，其具有等效硅控整流器（ＳＣＲ）结构；当该电源电压供应至该静电放电装置时，其具有等效ＰＮ二极管结构，因此可以避免静电放电装置的锁死现象。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种静电放电(ESD)装置，特别是涉及一种具有等效硅控整流器(SCR)结构并可避免锁死现象的静电放电装置。
技术介绍
静电放电装置广泛地应用于集成电路中，用以防止其因遭受静电破坏。通常，具有等效硅控整流器(SCR)结构的静电放电装置，因其先天条件的限制，将存在一锁死效应(latch-up effect)。当此硅控整流器结构被触发时，此硅控整流器可忍受大量电流，但横跨其两端的电压将折返至低保持电压。当此硅控整流器因触发而被锁死时，它将无法返回正常操作状态，因而失去静电放电(ESD)装置应有的功能。因此，如何提升静电放电装置的防锁死能力，已成为当前设计静电放电装置的主要课题。于是，具有防锁死能力的静电放电装置将为业界所渴求。
技术实现思路
本技术的目的就是提供一种可避免锁死的静电放电装置，以在其因触发而被锁死时，改变其等效硅控整流器结构，而使静电放电装置脱离锁死状态。基于上述及其他目的，本技术提出一种可避免锁死的静电放电装置，包括一P型基板、一N型井、一第一N+型掺杂区、一第一P+型掺杂区、一第二N+型掺杂区、一第二P+型掺杂区、一第三N+型掺杂区、一第三P+型掺杂区、一第一电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可避免锁死的静电放电装置，其特征在于其包括：一Ｐ型基板；一Ｎ型井，形成于该Ｐ型基板中；一第一Ｎ＋型掺杂区，形成于该Ｎ型井中；一第一Ｐ＋型掺杂区，形成于该Ｎ型井中；一第二Ｎ＋型掺杂区，形成于该第一Ｐ ＋型掺杂区与一第一场氧化层之间；一第三Ｎ＋型掺杂区，形成于该Ｐ型基板中以及该Ｎ型井外，其中该第三Ｎ＋型掺杂区与该Ｎ型井不相接触；一第二Ｐ＋型掺杂区，形成于该Ｐ型基板中以及该Ｎ型井外，其中该第二Ｐ＋型掺杂区与该Ｎ型井不相接触； 一第一电极，其经由一第一电性导体连接该第二Ｐ＋型掺杂区与该第三Ｎ...

【技术特征摘要】
1.一种可避免锁死的静电放电装置，其特征在于其包括一P型基板；一N型井，形成于该P型基板中；一第一N+型掺杂区，形成于该N型井中；一第一P+型掺杂区，形成于该N型井中；一第二N+型掺杂区，形成于该第一P+型掺杂区与一第一场氧化层之间；一第三N+型掺杂区，形成于该P型基板中以及该N型井外，其中该第三N+型掺杂区与该N型井不相接触；一第二P+型掺杂区，形成于该P型基板中以及该N型井外，其中该第二P+型掺杂区与该N型井不相接触；一第一电极，其经由一第一电性导体连接该第二P+型掺杂区与该第三N+型掺杂区；一第二电极，其经由一第二电性导体连接该第一N+型掺杂区与该第一P+型掺杂区；以及一第三P+型掺杂区，形成于该P型基板中以及该N型井外，其中该第三P+型掺杂区是以该第一场氧化层与该第二N+型掺杂区隔开，其中当该静电放电装置于未供应电源状态下，该第三P+型掺杂区是为浮接状态，当该静电放电装置于电源供应状态下，该第三P+型掺杂区是连接至一最低电位。2.根据权利要求1所述的静电放电装置，其特征在于其中所述的第二P+型掺杂区与该第三N+型掺杂区之间以一第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志丰，杨大勇，林振宇，简铎欣，
申请(专利权)人：崇贸科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]