半导体照明光源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体照明光源，包括一由外表面和内表面组成的照明光源外壳及提供与外部电源电气连接装配的基体，外壳内部有一个支撑体，在支撑体上至少安装有一个散热装置，在散热装置的散热片上至少装有一个半导体器件，各半导体器件通过电气连接点互相导通，其合体的正、负极通过电源线对应接基体的正、负极点。所述的照明光源外壳的内表面可以喷涂增强灯光能量的材料层。本实用新型专利技术可解决了大功率ＬＥＤ聚集所发出的热量问题，使其亮度可达到４０Ｗ日光灯的照明亮度；耗电少，且与传统的灯泡接口兼容，可替代传统照明灯泡；使用寿命长，是一般的普通灯泡的１００倍；无需维护，不易损坏。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体照明光源。
技术介绍
国外照明应用厂家，如OSRAM在推广他的发光模组，希望能广泛应用于家居照明，家具装饰照明；美国GE公司也推出LED发光广告字条，希望能替代霓虹灯，应用于商店招牌和企业LOGO。英国Colorkenetics的发光二极管(LED)室内灯具主要应用于舞台灯光设计，宾馆酒店的内部装潢。国内照明应用厂家，如上海飞利浦公司利用其照明行业的经验，大力发展LED照明灯具，开发了一系列生产的适合LED发光特性的灯具产品，目前也在开发大功率LED的应用；还有上海来源公司，该公司产品以LED光源为主，在日本、美国等国家申请了专利，已申请了日本S-Mark、CE等安全认证。该公司的LED光源产品出口到日本，主要以交通指示器材，商店招牌字为主，例如日本一些大型连锁店招牌装饰LED广告灯，日本的高速公路上的LED交通指示标志。同时在国内，该公司也为一些国内大型景观亮化工程提供LED灯饰产品。目前LED光效与真正走向主照明尚有距离，照明级LED应该向大功率白光发展，这也是国外厂家与国内厂家的技术差距。国外厂家主要是lumileds和OSRAM公司，国内还有些台湾厂家产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体照明光源，包括一由外表面和内表面组成的照明光源外壳及提供与外部电源电气连接装配的基体，其特征在于：外壳内部有一个支撑体，在支撑体上至少安装有一个散热装置，在散热装置的散热片上至少装有一个半导体器件，各半导体器件通过电气连接点互相导通，其合体的正、负极通过电源线对应接基体的正、负极点。

【技术特征摘要】
1.一种半导体照明光源，包括一由外表面和内表面组成的照明光源外壳及提供与外部电源电气连接装配的基体，其特征在于外壳内部有一个支撑体，在支撑体上至少安装有一个散热装置，在散热装置的散热片上至少装有一个半导体器件，各半导体器件通过电气连接点互相导通，其合体的正、负极通过电源线对应接基体的正、负极点。2.根据权利要求1所述的半导体照明光源，其特征在于所述的半导体器件合体的正、负极通过设置在散热装置上电气连接点的电源线对应接基体的正、负极点。3.根据权利要求1所述的半导体照明光源，其特征在于所述的照明光源外壳的内表面喷涂增强灯光能量的材料层，该增强灯光能量的材料层为钇铝石榴石、铈的荧光粉层。4.根据权利要求1所述的半导体照明光源，其特征在于所述的半导体器件是发光二极管LED、大功率发光二极管LED、发光二极管LED阵列、垂直腔面发射VCSEL、垂直腔面发射VCSEL阵列封装结构的一种。5.根据权利要求4所述的半导体照明光源，其特征在于所述的半导体器件是发光二极管及其发光二极管阵列的一种，其中发光二极管为从绝缘衬底层上外延生长起来的发光二极管芯片，包括紧挨绝缘衬底层的一缓冲层，在缓冲层之上依次设有做为导电负极的导电层、阻止电子跃迁的金属层、产生发光光子的发光层及又一金属层，位于最上层的是带有正电极的接触层。6.根据权利要求4所述的半导体照明光源，其特征在于所述的半导体器件是发光二极管及其发光二极管阵列封装结构的一种，其中发光二极管为从导电衬底层上外延生长起来的发光二极管芯片，包括一做为芯片负极的导电层，依次在导电层上方是缓冲层、化合物层、电能转换成光能层及又一化合物层，位于最上层的是带有正电极的接触层。7.根据权利要求4所述的半导体照明光源，其特征在于所述的半导体器件是垂直腔面发射VCSEL、垂直腔面发射VCSEL阵列封装结构的一种，其中垂直腔面发射VCSEL为从绝缘衬底层上外延生长起来的VCSEL芯片，包括紧挨绝缘衬底层的一GaN缓冲层，再上面依次是带有负极的n-GaN金属层、n-GaN接触层、另一个n-GaInN的层、AlN/AlGaN MQW反射层、n-AlGaN层、GaInN MQW发光层、另一个Al...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹殿生，
申请(专利权)人：鑫谷光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：13[中国|河北]