有机半导体照明装置制造方法及图纸

一种有机半导体照明装置，包括第一有机发光元件及第二有机发光元件，其中每一有机发光元件包括透光基板、有机发光结构、第一电极结构及第二电极结构。透光基板，具有第一区与第二区；有机发光结构，位于透光基板第一区上方；第一电极结构具有位于透光基板与有机发光结构之间的第一电极主体，且具有自第一电极主体延伸至第二区的第一接触部；第二电极结构具有位于该有机发光结构上方的一第二电极主体，且具有自该第二电极主体延伸至该第二区的一第二接触部。另外，第二有机发光元件的第二区配置于第一有机发光元件的第一区上方而形成重迭区。本发明专利技术的有机半导体照明装置可消除照明装置的无光区，增加照明装置的美观性及单位面积的出光率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种有机半导体照明装置，包括第一有机发光元件及第二有机发光元件，其中每一有机发光元件包括透光基板、有机发光结构、第一电极结构及第二电极结构。透光基板，具有第一区与第二区；有机发光结构，位于透光基板第一区上方；第一电极结构具有位于透光基板与有机发光结构之间的第一电极主体，且具有自第一电极主体延伸至第二区的第一接触部；第二电极结构具有位于该有机发光结构上方的一第二电极主体，且具有自该第二电极主体延伸至该第二区的一第二接触部。另外，第二有机发光元件的第二区配置于第一有机发光元件的第一区上方而形成重迭区。本专利技术的有机半导体照明装置可消除照明装置的无光区，增加照明装置的美观性及单位面积的出光率。【专利说明】有机半导体照明装置
本专利技术提供一种半导体照明装置，尤指应用于有机半导体照明装置。
技术介绍
有机半导体照明装置,如有机发光二极体(organic light emitting device,简称OLED)，为近几年照明产业积极研发的绿能光源，原料来源广且不含汞等有毒物质，因此制作环保，属于光色柔和、无炫光闪烁的扩散式面光源，具节能、高效、长寿命、轻薄、无高热、无紫外光，而且色温、明暗可调，若采用可挠式基板则可弯曲。受限于目前的技术，每一片有机发光二极体照明面板大小为lOcmxlOcm至30cmx30cm之间，若要制作大面积照明装置,例如lOOcmxlOOcm以上，则必须并排好几片有机发光二极体照明面板。然而，现有的有机发光二极体照明面板10的周边为非发光区101，围绕着发光区102，当多片并排一起时，连接处会呈现无光区(如图1所示)，使得大面积照明装置的出光面出现多条无光区，有碍美观，且需要更多的面积来达到所需的光源照度。有鉴于此，如何制作大面积的有机半导体照明装置，并消除装置的无光区域，以改善美观性及提高其单位面积的出光率，为发展本专利技术的主要目的。
技术实现思路
本专利技术提出一种有机半导体照明装置，可消除照明装置的无光区，增加照明装置的美观性及单位面积的出光率。为达前述目的，本专利技术一实施例提出一种有机半导体照明装置，其包括第一有机发光兀件及第二有机发光兀件，其中每一有机发光兀件包括透光基板、有机发光结构、第一电极结构及第二电极结构。透光基板，具有第一区与第二区；有机发光结构，位于透光基板第一区上方；第一电极结构具有位于透光基板与有机发光结构之间的第一电极主体，且具有自第一电极主体延伸至第二区的第一接触部；第二电极结构具有位于该有机发光结构上方的一第二电极主体，且具有自该第二电极主体延伸至该第二区的一第二接触部。另外，第二有机发光元件的第二区配置于第一有机发光元件的第一区上方而形成重迭区。在本专利技术的一实施例中，上述的有机发光元件更包括保护层及封装材料。保护层位于第二电极结构上方；封装材料位于透光基板与保护层之间，并位于第二区上方，具有封闭结构。在本专利技术的一实施例中，上述每一有机发光元件的第一电极结构更包括金属绕线结构，围绕第一电极主体。在本专利技术的一实施例中，上述的第一有机发光元件与第二有机发光元件的堆迭高度小于I公厘。在本专利技术的一实施例中，上述每一有机发光元件的第一接触部与第二接触部位于第二区的同一侧或相对侧。在本专利技术的一实施例中，上述的第一有机发光元件的第一区的边缘与第二有机发光元件的第一区的边缘相切齐。在本专利技术的一实施例中，上述的有机半导体照明装置更包括第三有机发光元件，其与第一有机发光元件构造相同，且第三有机发光元件的第一区配置于第二有机发光元件的第二区下方。在本专利技术的一实施例中，上述的第一有机发光兀件与第三有机发光兀件分别位于第二有机发光元件的相对两侧。在本专利技术的一实施例中，上述每一有机发光元件的第一电极主体及第一接触部的材料包含透明金属氧化物。在本专利技术的一实施例中，上述每一有机发光元件的第二电极结构的材料包含金属，且透光基板的材料包含玻璃、金属、钢料或塑胶。在本专利技术的一实施例中，上述的有机半导体照明装置更包括灯具，灯具中配置第一有机发光兀件与第二有机发光兀件。在本专利技术的一实施例中，上述每一有机发光元件的该第一接触部及该第二接触部位于该重迭区外。在本专利技术的有机半导体照明装置中，利用有机发光元件非发光区与发光区相互堆迭的方式，以及纤细绕线结构的设计以减少电极接触部的数量，得以消除照明装置的无光区，增加照明装置的美观性，以及单位面积的出光率。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。【专利附图】【附图说明】图1为现有的有机发光二极体照明装置的上视示意图。图2为本专利技术的一实施例所发展出有机发光元件的上视示意图。图3为沿着图2的AA’线的剖面示意图。图4为沿着图2的BB’线的剖面示意图。图5为本专利技术的另一实施例所发展的有机发光元件的上视示意图。图6为本专利技术的一实施例所发展出有机半导体照明装置的结构示意图。【具体实施方式】本专利技术适于应用有机半导体照明装置，例如，有机发光二极体灯具。有机半导体照明装置中可包括多个有机发光元件，以形成大面积的照明装置。有机发光元件的形状可为圆形或多边形，本实施例以多边形为例，但不限于此。请参见图2?图4，图2为本专利技术的一实施例所发展出有机发光元件的上视示意图，图3为沿着图2的AA’线的剖面示意图，图4为沿着图2的BB’线的剖面示意图。每个有机发光元件20包括透光基板21，在其上定义发光区(第一区)201，在发光区201周围为非发光区(第二区)202。于发光区201上方配置有机发光结构22，为有机发光元件20提供光源的主体。在本实施例中，有机发光元件20还包括第一电极结构23及第二电极结构24。第一电极结构23包含有第一电极主体231及第一接触部232，第一电极主体231配置于透光基板21与有机发光结构22之间，可覆盖整个发光区201，而第一接触部232自第一电极主体231延伸至非发光区202，以接外界电压或与邻近有机发光元件电性连接。第二电极结构24包含有第二电极主体241及第二接触部242，前者配置于有机发光结构22上方，位置与第一电极主体231相对称，而第二接触部242自第二电极主体241延伸至非发光区202，以接外界电压或与邻近有机发光元件电性连接。第一电极结构23可为阳极电极，第二电极结构24可为阴极电极。第二电极结构24的材料可为具低功函数(work function)的金属，才能有效将电子注入有机发光结构22,通常选用镁(Mg)、镁银合金、锂化合物、铝化合物等，但不限于此。另外，因为本实施例的第一电极结构23位于有机发光元件20的出光面那侧，通常选用透明且高功函数材料，例如铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,简称ITO)或铟锋氧化物(Indium zinc oxide,简称IZO),但不限于此。另外，位于电极结构23、24之间的有机发光结构22可包括电子传输层(electrontransport layer,简称ETL)、有机半导体发光层(emissive layer,简称EML)及电洞传输层(hole transport layer,简称HTL),其中有机半导体发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机半导体照明装置，其特征在于，包括：一第一有机发光元件及一第二有机发光元件，其中每一有机发光元件包括：一透光基板，具有一第一区与一第二区；一有机发光结构，位于该透光基板第一区上方；一第一电极结构，具有位于该透光基板与该有机发光结构之间的一第一电极主体，且具有自该第一电极主体延伸至该第二区的一第一接触部；以及一第二电极结构，具有位于该有机发光结构上方的一第二电极主体，且具有自该第二电极主体延伸至该第二区的一第二接触部，其中，该第二有机发光元件的第二区配置于该第一有机发光元件的第一区上方而形成一重迭区。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宋志峯，
申请(专利权)人：力志国际光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71