应用于照明装置的有机发光二极管组件制造方法及图纸

一种应用于照明装置的有机发光二极管组件，包括：一基板；一图案化阳极层，配置于该基板上；一有机半导体层，覆盖在该图案化阳极层的上表面、侧壁与该基板上，其中该有机半导体层的厚度大于该图案化阳极层厚度的三倍；以及一阴极层，覆盖在该有机半导体层上。本发明专利技术是利用阳极层与有机半导体层的相对厚度比例的设计以提高有机半导体层的阶梯覆盖率（step coverage），以避免可能产生的边缘漏电问题并取代传统的需设置凹凸结构的有机发光二极管组件，以提升组件良率并提升有机发光二极管组件的发光面积。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种应用于照明装置的有机发光二极管组件，包括：一基板；一图案化阳极层，配置于该基板上；一有机半导体层，覆盖在该图案化阳极层的上表面、侧壁与该基板上，其中该有机半导体层的厚度大于该图案化阳极层厚度的三倍；以及一阴极层，覆盖在该有机半导体层上。本专利技术是利用阳极层与有机半导体层的相对厚度比例的设计以提高有机半导体层的阶梯覆盖率（step?coverage），以避免可能产生的边缘漏电问题并取代传统的需设置凹凸结构的有机发光二极管组件，以提升组件良率并提升有机发光二极管组件的发光面积。【专利说明】应用于照明装置的有机发光二极管组件
本专利技术涉及一种有机发光二极管组件，且特别涉及一种应用于照明装置的有机发光二极管组件。
技术介绍
现有的应用于显示器的有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称0LED)组件的制造过程中，大多利用有机高分子层形成凹凸结构(一般称为bankstructure),来定义出特定的发光区域，以避免漏电、短路等问题。如图1所示的剖面示意图可看出，两相邻凸起结构106之间为凹槽108，有机半导体层110形成于凹槽108中，且配置于第一透明电极104与第二电极114之间。凸起结构106与有机半导体层110将第一透明电极104与第二电极114相互隔开，以避免短路问题。然而凸起结构106的存在，却也因此减少了可发光的面积并降低了开口率(ApertureRatio)。此外，凹凸结构的制程也相对增加了制程成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种可应用于照明装置的有机发光二极管组件，以简化制程、增加组件的发光面积并提升开口率，以及避免漏电与短路现象。一种应用于照明装置的有机发光二极管组件，包括:一基板；一图案化阳极层，配置于该基板上；一有机半导体层，覆盖在该图案化阳极层的上表面、侧壁与该基板上，其中该有机半导体层的厚度大于该图案化阳极层厚度的三倍；以及一阴极层，覆盖在该有机半导体层上。在本专利技术的一个具体实施方案中，该图案化阳极层包含一第一阳极层与一第二阳极层，并排配置于该基板上，该有机半导体层还覆盖在该第一阳极层与该第二阳极层间的该基板的表面上。在本专利技术的一个具体实施方案中，该第一阳极层与该第二阳极层的间距大于3微米。在本专利技术的一个具体实施方案中，该第一阳极层与该第二阳极层的间距介于3?10微米之间。在本专利技术的一个具体实施方案中，该有机半导体层的厚度介于150?300纳米之间，且该图案化阳极层的厚度介于40?60纳米之间。在本专利技术的一个具体实施方案中，该有机半导体层至少包括一电洞注入层、一电洞传输层、一发光层、一电子传输层与一电子注入层。在本专利技术的一个具体实施方案中，该图案化阳极层为一透明导电层。在本专利技术的一个具体实施方案中，该基板为一透明基板。本专利技术有益效果是，本专利技术是利用阳极层与有机半导体层的相对厚度比例的设计以提高有机半导体层的阶梯覆盖率(step coverage),以避免可能产生的边缘漏电问题并取代传统的需设置凹凸结构的有机发光二极管组件，以提升组件良率并提升有机发光二极管组件的发光面积。此外，本专利技术也通过两相邻阳极层之间距设计，来避免制程中的杂质沾附可能导致的短路问题。因此本专利技术除了可简化应用于照明装置的有机发光二极管组件的制程之外，也能提高组件良率，并提升有机发光二极管照明装置的发光效率。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。【专利附图】【附图说明】图1为现有的具有凹凸结构(一般称为bank structure))的有机发光二极管组件结构的示意图。图2为本专利技术的一实施例的应用于照明装置的有机发光二极管组件的结构示意图。图3A为本专利技术的另一实施例的应用于照明装置的有机发光二极管组件的结构示意图。图3B为在本专利技术的另一实施例中，当杂质沾附于基板时的剖面结构示意图。图4A为本专利技术的另一实施例的应用于照明装置的有机发光二极管组件的结构示意图。图4B为图4A的结构俯视图。【具体实施方式】为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对本专利技术的具体实施例、结构、特征及其功效，详细说明如后。图2为本专利技术的一实施例的应用于照明装置的有机发光二极管组件的结构示意图。请参阅图2，本专利技术的应用于照明装置的有机发光二极管组件200包括基板210、图案化阳极层220、有机半导体层230与阴极层240。其中所述图案化阳极层220配置于基板210上。所述有机半导体层230覆盖在图案化阳极层220的上表面S1、侧壁S2、S3与基板210上。所述阴极层240覆盖在有机半导体层230上。此外所述基板210为透明基板，例如是透明导电玻璃或软性树脂基板。所述图案化阳极层220为透明导电层，一般由透明传导氧化材料所组成，例如是铟锡氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)等,但本专利技术的图案化阳极层220的材质不以此为限。所述阴极层240 —般由非透明的金属导电层所组成。所述有机半导体层230的厚度大于图案化阳极层220厚度的三倍，其中有机半导体层230的厚度例如是介于150?300纳米之间，所述图案化阳极层220的厚度例如是介于40?60纳米之间。此外所述有机半导体层230至少包括电洞注入层、电洞传输层、发光层、电子传输层与电子注入层等(图未示出)。当有机半导体层230的阶梯覆盖率(stepcoverage)相对提高，也即当有机半导体层230的厚度大于图案化阳极层220的厚度的三倍以上时，可使得有机半导体层230的厚度足以承受位于图案化阳极层220的尖端边缘的相对高电场，从而避免边缘漏电问题。此外本专利技术的应用于照明装置的有机发光二极管组件200省略传统的用于定义发光区域的凹凸结构，也即本专利技术的用以发出光线的有机半导体层230覆盖于整个图案化阳极层220的上表面，如此可有助于提升有机发光二极管组件的开口率。图3A为本专利技术的另一实施例的应用于照明装置的有机发光二极管组件的结构剖面示意图。请参阅图3A，本专利技术的应用于照明装置的应用于照明装置的有机发光二极管组件300包括基板210、图案化阳极层320、有机半导体层230与阴极层240。与图案化阳极层220不同的是，图案化阳极层320例如包含第一阳极层321与第二阳极层322，其中第一阳极层321与第二阳极层322相互分离且并排配置于基板210上。所述图案化阳极层320与图案化阳极层220的材质相同，在此不再赘述。此外，所述有机半导体层230除了覆盖于第一阳极层321与第二阳极层322的上表面与侧壁之外，还覆盖在第一阳极层321与第二阳极层322之间的基板210上。也即本专利技术的应用于照明装置的有机发光二极管300中，相对第一阳极层321与第二阳极层322而形成的两发光区域之间省略设置传统的凹凸结构，如此可助于提升有机发光二极管组件的开口率。然而，需考虑的是，在形成图案化阳极层320的制程中，难免会有杂质沾附在第一阳极层321与第二阳极层322之间的基板210上。若杂质的边缘刚好卡在第一阳极层321与第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于照明装置的有机发光二极管组件，包括：一基板；一图案化阳极层，配置于该基板上；一有机半导体层，覆盖在该图案化阳极层的上表面、侧壁与该基板上，其中该有机半导体层的厚度大于该图案化阳极层厚度的三倍；以及一阴极层，覆盖在该有机半导体层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宋志峯，
申请(专利权)人：力志国际光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71