【技术实现步骤摘要】
本技术是一种用于倒装的大功率发光二极管晶片。
技术介绍
随着发光半导体技术的发展，以氮化镓及其化合物为原材料制成 的发光二极管在显示及照明等光电领域的应用越来越广泛。但从客观上来讲，现有的发光二极管晶片的尺寸一般为0.3mmX0.3mm或更 小，发光亮度不是很理想，而且将整块大的晶片划分为若干小晶片的 划片成本也比较高，从而导致现有一般的小型LED成本高却亮度低。 因此，现有很多大功率LED都采用一整块大的晶片直接封装成灯具， 这样可以得到更高的亮度也避免了划片而产生的成本问题。但与此同 时，功率的提升直接导致晶片更大的发热量，而其较低的出光率和较 差的散热效果更加剧了晶片温度的升高，使晶片衰减加速，从而晶片 的使用寿命也急速减少。
技术实现思路
本技术针对上述技术问题，提供一种用于倒装的大功率发光 二极管晶片，它不仅可以产生更高的亮度，而且有更好的出光率和散 热效果，从而使其使用寿命加长。为达到上述目的，本技术采用如下的技术方案 一种用于倒 装的大功率发光二极管晶片，包括蓝宝石衬底，以及依附于蓝宝石衬 底一个侧面上的外延层，其特征是在所述蓝宝石衬底远离外延层的另 一个侧面上，开设有多条用于出光的凹槽，且该凹槽的深度小于蓝宝石衬底的厚度，在所述凹槽的表面设置有扩散作用的微透镜阵列，所 述凹槽截面形状为三角形、梯形或弧形形状，且凹槽顶面宽度大于底 面宽度。采用上述技术方案后，本技术在使用大块的晶片做大功率LED时，在晶片的蓝宝石衬底上开设有出光和散热的凹槽，因此它 有更高的出光率和更好的散热效果，同时亮度更高，也省去了划片的 成本，适用于制作各种大功率LE...
【技术保护点】
一种用于倒装的大功率发光二极管晶片，包括蓝宝石衬底，以及依附于蓝宝石衬底一个侧面上的外延层，其特征是：在所述蓝宝石衬底远离外延层的另一个侧面上，开设有多条用于出光的凹槽，且该凹槽的深度小于蓝宝石衬底的厚度。
【技术特征摘要】
1、一种用于倒装的大功率发光二极管晶片，包括蓝宝石衬底，以及依附于蓝宝石衬底一个侧面上的外延层，其特征是在所述蓝宝石衬底远离外延层的另一个侧面上，开设有多条用于出光的凹槽，且该凹槽的深度小于蓝宝石衬底的厚度。2、 ...
【专利技术属性】
技术研发人员：樊邦弘，
申请(专利权)人：鹤山丽得电子实业有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]
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