一种发光二极管的晶片制造技术

本实用新型专利技术是一种发光二极管的晶片，包括衬底，在衬底上依次生长而成的Ｎ层和Ｐ层，以及给Ｐ层和Ｎ层提供电源的Ｐ层电极和Ｎ层电极，其特征在于：所述Ｐ层上开设有字母“Ｎ”形状的凹槽，该凹槽由Ｐ层顶面深入至Ｎ层顶面，Ｎ层电极嵌于凹槽内并且Ｎ层电极上顶面伸出Ｐ层，下底面与Ｎ层接触；在Ｎ层电极与Ｐ层之间填充有绝缘层，Ｐ层电极位于Ｎ层电极拐角之间呈三角形覆盖在Ｐ层上，而绝缘层可由导热材料制成，因此增大了电极与Ｐ层的接触面积，使电流分布更加均匀，因此可以提高发光效率，同时也增加了散热面积，散热效果好。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED封装，特指一种发光二极管的晶片。
技术介绍
在发光二极管的发展历程中，如何提高发光二极管的发光效率一 直是所有技术人员研发的重点。随着发光二极管技术的不断发展，将 晶片采用倒装的封装技术能大幅度地提高发光效率，因此现有的很多 大功率LED都采用上述的封装方法。晶片倒装的方案虽然在一定程 度上能提高出光效率，但它的电极必须安装于同一侧，会产生诸多不 便。现有倒装晶片上的电极都采用的柱状电极，将P层切割掉一部分， 同时也切割掉一部分PN结发光层，再将N层电极连接至N层，而P 层电极则直接安置于P层上。这种将PN结切割掉的方案无疑降低了 晶片发光效率，另外柱状电极与P层或N层的接触面积比较小，电 流在P层或N层上分布很不均匀，因此对晶片的发光效率也有不小 的负面影响，而且它的散热效果也比较差。
技术实现思路
本技术针对上述问题，提供一种发光二极管的晶片，它可以 在很大程度上使P层上的电流分布比较均匀，而且能改善散热效果。为了达到上述目的，本技术采用如下方案 一种发光二极管 的晶片，包括衬底，在衬底上依次生长而成的N层和P层，以及给P 层和N层提供电源的P层电极和N层电极，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的晶片，包括衬底，在衬底上依次生长而成的Ｎ层和Ｐ层，以及给Ｐ层和Ｎ层提供电源的Ｐ层电极和Ｎ层电极，其特征在于：所述Ｐ层上开设有字母“Ｎ”形状的凹槽，该凹槽由Ｐ层顶面深入至Ｎ层顶面，Ｎ层电极嵌于凹槽内并且Ｎ层电极上顶面伸出Ｐ层，下底面与Ｎ层接触；在Ｎ层电极与Ｐ层之间填充有绝缘层，Ｐ层电极位于Ｎ层电极拐角之间呈三角形覆盖在Ｐ层上。

【技术特征摘要】
1、一种发光二极管的晶片，包括衬底，在衬底上依次生长而成的N层和P层，以及给P层和N层提供电源的P层电极和N层电极，其特征在于所述P层上开设有字母“N”形状的凹槽，该凹槽由P层顶面深入至N层顶面，N层电极嵌于凹槽内并且N层电极上顶面伸出P层，下底面与N层接触；在N层电极与P层之间填充有绝缘层，P...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊邦弘，
申请(专利权)人：鹤山丽得电子实业有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]