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一种发光二极管的晶片制造技术
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文档序号:3226989
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本实用新型是一种发光二极管的晶片,包括衬底,在衬底上依次生长而成的N层和P层,以及给P层和N层提供电源的P层电极和N层电极,其特征在于:所述P层上开设有字母“N”形状的凹槽,该凹槽由P层顶面深入至N层顶面,N层电极嵌于凹槽内并且N层电极上顶...
该专利属于鹤山丽得电子实业有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过鹤山丽得电子实业有限公司授权不得商用。
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