【技术实现步骤摘要】
本技术有关一种高亮度发光二极管结构,通过将萤光粉层设于晶片的基座及光学透镜(Lens)中间,使得本技术具发光均匀、收光效果佳,且改变发光颜色,可有效降低不良率的高亮度发光二极管结构,适用于发光二极管或类似结构。
技术介绍
现有技术用的发光二极管结构,如图4所示,主要包括一具凹陷槽D的基座A、一晶片B及一透光层C,该晶片B结合于基座A的凹陷槽D之中,再藉透光层C的射出成型,将基座A及晶片B结合为一体,该透光层C为完成发光二极管的制作。然而传统的发光二极管发出的颜色,完全取决于晶片B的发光颜色,该透光层C并无法左右其颜色,乃为其最主要的缺陷。本专利技术人有鉴于上述缺陷,希望能提供一种发光均匀、收光效果佳,且改变发光颜色的高亮度发光二极管结构,以提供消费大众使用,为本技术所欲研创的动机。
技术实现思路
本技术的主要目的,在提供一种高亮度发光二极管结构,包含一基座、一光学透镜(Lens)及一萤光粉层,该基座上设有一晶片,该光学透镜(Lens)设于基座上面,而该萤光粉层设于基座及光学透镜(Lens)中间,藉此以形成一具有发光均匀、收光效果佳,且改变发光颜色的光二极管。本技术的 ...
【技术保护点】
一种高亮度发光二极管结构,其特征是,包含: 一基座,该基座设有一晶片; 一光学透镜,该光学透镜设于基座上面;以及 一萤光粉层,该萤光粉层设于基座及光学透镜中间; 藉此以形成一具有发光均匀,且改变发光颜色的光二极管。
【技术特征摘要】
1.一种高亮度发光二极管结构,其特征是,包含一基座,该基座设有一晶片;一光学透镜,该光学透镜设于基座上面;以及一萤光粉层,该萤光粉层设于基座及光学透镜中间;藉此以形成一具有发光均匀,且改变发光颜色的光二极管。2.如权利要求1所述的高亮度发光二极管结构,其特征是,该光学透镜...
【专利技术属性】
技术研发人员:林惠作,林景渊,
申请(专利权)人:光鼎电子股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]
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