功率发光二极管制造技术

一种功率发光二极管，是由导电架、发光晶片及胶饼所构成，其中导电架是利用厚或薄的材料先予加工制成的连续厚薄料后，再在导电架上予以固晶、打线、点胶及封装所完成的功率发光二极管结构。其中导电架具有延伸至胶饼底面的散热块，使所制成的发光二极管具有扩大的散热块对晶片散热，而可使用大电流产生高发光度，并可全自动化快速大量制造功率发光二极管。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术关于功率发光二极管，尤指利用厚或薄的材料加工制成的厚薄料型连续导电架再予固晶、打线、点胶及封装所完成的发光二极管。一般发光二极管(Light emitting diodes，LEDs)已被熟知为可产生光线的固态装置(Solid state device)，而其光线具有在光谱特别区域中的峰状波长(peak wavelength)。由于晶片制程的进步，使得高功率发光二极管在近年来广受注目。例如，铝镓铟氮化物为基础的发光二极管(Aluminum-gallium-indium-nitride(AlGa InN)-based LEDs)能发出蓝及绿色的可见光谱的峰状波长光线，而较一般发光二极管增大发光密度。由于其优越的发光性，使得AlGaInN-based发光二极管极具吸引性。在Lumi Leds Lighting，U.S.，LLC所生产的00-0001型功率发光二极管，如附图说明图1及图2所示，就是目前功率发光二极管的结构，它所需电流约为350mA，而可产生高光度。但伴随高光度而来的产生高热，因此功率发光二极管必需具有良好的散热功能。在图1及图2的功率发光二极管结构中，晶片91是直接连接于一电路板92上，一套筒93将胶体94封装固定于晶片外，以构成整个功率发光二极管结构。在制造时，是先将电路板92上固定晶片91后，再将套筒93黏固于晶片91周围，然后将胶体94以压力迫入套筒上方，以完成图1所示的完整功率发光二极管。其中晶片91直接与电路板92连接，而可达到好的散热功效。但是，在此已知的功率发光二极管制造上是十分麻烦的，必需以人工组合各个零件，组装繁覆，且此一结构所增加成本，亦使得产品单价增加，如欲以多个功率发光二极管组成一照明设备，其成本将大为超过目前一般灯泡式或其它的照明设备。但是，以现有的发光二极管(参见附件图示)而言，其散热功能不足，无法用于大电流。本技术的功率发光二极体，由导电架、发光晶片及胶饼所构成，其中胶饼是封包于导电架上端容置晶片位置；其特征在于上述导电架具有延伸至胶饼底面的散热块，且其系以厚薄料制成连续导电架后，再予固晶、打线及点胶，经封装胶饼及切割而大量制造完成，而延伸至胶饼底面的散热块可将大电流通过晶片产生的高热发散。上述导电架延伸出胶饼的接脚可为片状接点、细接点式、双接脚式、四接脚式。本技术的功率发光二极管，在封装制程上可以选择为模具射出成型(Molding)方法，亦可为灌胶方法。本技术的功率发光二极管，其中以厚或薄的材料施多圈状加工，以完成连续性的成卷导电架，在封装制程前依据模具一次的封装量将成卷的导电架适当裁切成片段状，方使导电架的加工、收存、运送及制造。在图13中，依据本技术制造方法所完成的功率发光二极管I-1或I-2，其中的导电架下方延伸出胶体i11底部有一散热块i12，使得功率发光二极管可利用大电流，约350mA，而可得到高强度的光线。其中制成品I-1系为片状接点的功率发光二极管，而I-2系为接脚式的功率发光二极管。值得注意的，在连续的导电架裁切成片段状的第七步骤G1时，可形成一n×n的平面式延伸，这是配合下一步骤的模具设计，而可快速大量的生产。另外，请参阅图4所示，为本技术第二种实施例的简易制造流程图，其系以薄铜板来制造连续导电架，其中薄铜板的厚度为0.4～0.8mm，第一个步骤A2是将整备好的薄铜板圈状加工，如图5中的A-2；第二个步骤B2是将薄铜板接合厚铜板，如图6中的B-2；第三个步骤C2是将切削加工的厚铜板制成成卷的厚薄料，如图7中的C-3或C-4，由图中的侧视图，可知将制成导电架的铜板上放置晶片的突出部分c11已被制成；第四个步骤D2是将厚薄料加工切削成连续成卷的导电架，如图8中的D-3或D-4，其中圆圈表示成卷；第五个步骤E2是将导电架依据灌胶数量而裁成片段状的导电架并予折脚，如图9中的E-3或E-4所示；第六步骤F2是在每一导电架上予以固晶f11、打线f12及点胶(可以为矽胶或环氧树脂)，如图10中的F-3或F-4；第七步骤G2是进行灌胶，在导电架上固定胶饼g15，如图11中的G-3是直接在模具g16中灌注胶块再将导电架压入模具而完成，而G-4则是先成型一外壳g17然后再灌注胶块于该外壳内，并将导电架与外壳组合；第八步骤H2是制成连续半成品，如图12中的H-3或H-4；第九步骤I2是将连续的半成品裁切成为单个完成的功率发光二极管，如图13的I-3或I-4所示。依据本技术制造方法所完成的功率发光二极管I-3或I-4，其中的导电架下方延伸出胶体i11底部有一散热块i12，使得功率发光二极管可利用大电流，约350mA，而可得到高强度的光线。其中制成品I-3系为四个接脚的功率发光二极管，上方为水平接脚，下方为垂直接脚；而I-4系为双接脚式的功率发光二极管，上方为水平接脚，下方为垂直接脚。通过以上叙述，可知利用厚或薄的铜板为素材，先制成成卷的厚薄料后，再切削制成连续的导电架，经对每一导电架固晶、打线及点胶后，进行封装，再裁切完成单一的功率发光二极管，这样的制程，利用习知功率电晶体的制程，而发展出新的功率发光二极管制程，简化了结构，使得每一功率发光二极管的量产可以实际化，降低产品单价后，才可能完成发光二极管组合成为照明射备的可能。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率发光二极体，由导电架、发光晶片及胶饼所构成，其中胶饼是封包于导电架上端容置晶片位置；其特征在于：上述导电架具有延伸至胶饼底面的散热块，且其系以厚薄料制成连续导电架后，再予固晶、打线及点胶，经封装胶饼及切割而大量制造完成，而延伸至胶饼底面的散热块可将大电流通过晶片产生的高热发散。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种功率发光二极体，由导电架、发光晶片及胶饼所构成，其中胶饼是封包于导电架上端容置晶片位置；其特征在于上述导电架具有延伸至胶饼底面的散热块，且其系以厚薄料制成连续导电架后，再予固晶、打线及点胶，经封装胶饼及切割而大量制造完成，而延伸至胶饼底面的散热块可将大电流通过晶片产生的高热发散。2.根据权利要求1所述的功率发光二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：林明德，林明耀，
申请(专利权)人：光鼎电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]