【技术实现步骤摘要】
本技术涉及发光二极管。
技术介绍
ZnO是一种理想的短波长发光器件材料，目前，ZnO基的发光二极管(LED)，如p-SrCu2O2/n-ZnO结构的UVLED，依次由势垒层、p-SrCu2O2薄膜层、n-ZnO、金属电极层沉积而成，是个简单的异质结构，发光波长不可调。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种发光层能带可调、具有多层量子异质结构的、发光波长可调的ZnO基异质结发光二极管。本技术的ZnO基异质结发光二极管在衬底上自下而上依次由第一电极层、n-ZnO薄膜层、CdxZn1-xO基层、p-ZnO薄膜层、第二电极层沉积而成。本技术中，衬底可以采用玻璃、蓝宝石、硅、氮化镓和氧化锌。第一电极层可以是掺铝的氧化锌导电薄膜或金属薄膜。第二电极层是铝或金。本技术的ZnO基异质结发光二极管的优点是1)利用Cd掺杂对发光层禁带的调节作用，可以得到2.8～3.3eV的可调带隙，制得紫外光、紫光、绿光、蓝光等多种发光器件。2)ZnO基异质结构，界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能。附图说明附图是本技术ZnO基异质结发光二极管的结构示意图。具体实施方式本技术的ZnO基异质结发光二极管是利用通常的激光脉冲沉积方法，在衬底6上自下而上依次沉积第一电极层1、n-ZnO薄膜层2、CdxZn1-xO基层3、p-ZnO薄膜层4、第二电极层5构成。(见图1)。其中，CdxZn1-xO基层中的X值在0～1间可调，通过调节X值，改变发光波段，可得到发射紫外光、紫光、绿光或蓝光的发光二极管。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.ZnO基异质结发光二极管，其特征是在衬底(6)上自下而上依次由第一电极层(1)、n-ZnO薄膜层(2)、CdxZn1-xO基层(3)、p-ZnO薄膜层(4)、第二电极层(5)沉积而成。2.按权利要求1所述的ZnO基异质结发光二极管，其特征是所说的CdxZn1-xO中的X值为0～1。3.按权利要求1或2所述的ZnO基异质结发光二极管，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶志镇，黄靖云，马德伟，赵炳辉，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：实用新型
国别省市：
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