【技术实现步骤摘要】
本技术涉及发光二极管。
技术介绍
ZnO是一种理想的短波长发光器件材料，目前，ZnO基的发光二极管(LED)仅有异质结的LED。如p-SrCu2O2/n-ZnO结构的UVLED，依次由势垒层、p-SrCu-2O2薄膜层、n-ZnO、金属电极层沉积而成。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种发光二极管，为发光二极管增加一种新品种。本技术的发光二极管是以ZnO为基，在衬底上自下而上依次由第一电极层、p-MgxZn1-xO薄膜层、ZnO基层、n-MgxZn1-xO薄膜层、第二电极层沉积而成。本技术中，第一电极可以是掺铝的n-ZnO透明导电薄膜或金属薄膜。第二电极为铝或金。衬底可以采用硅、蓝宝石、玻璃、氮化镓、氧化锌。本技术的发光二极管的优点是1)器件制备工艺相对异质结器件较为简单；2)ZnO同质结结构，界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能；3)利用Mg掺杂对禁带的调节作用，可以得到3.3～4.2ev的可调带隙，制得紫外光、紫光、绿光、蓝光等多种发光器件。附图说明附图是本技术的发光二极管的结构示意图。具体实施方式本技术的发光二极管是利用激光脉冲沉积方法或金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术，在衬底6上自下而上依次沉积第一电极层1、p-MgxZn1-xO薄膜层2、ZnO基层3、n-MgxZn1-xO薄膜层4、第二电极层5构成。(见图1)。其中，p-MgxZn1-xO和n-MgxZn1-xO中的X值在0～1间可调，通过调节X值，改变发光波段，可得到发射紫外光、紫光、绿光或蓝光的发光二极管。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征是以ZnO为基，在衬底(6)上自下而上依次由第一电极层(1)、p-MgxZn1-xO薄膜层(2)、ZnO基层(3)、n-MgxZn1-xO薄膜层(4)、第二电极层(5)沉积而成。2.按权利要求1所述的发光二极管，其特征是所说的p-MgxZn1-xO和n-MgxZn1-xO中的X值为0～1。3....
【专利技术属性】
技术研发人员：叶志镇，吕建国，黄靖云，张银珠，邹璐，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：实用新型
国别省市：
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