发光二极体的晶片覆层构造制造技术

本实用新型专利技术的晶片覆层构造是在发光二极体的晶片上方覆盖一聚光体，其聚光体是具有突出承载部的聚光部，整体聚光部是围绕有若干聚光面，在晶片的光源通过聚光体时，可由聚光体的介质特性，将晶片的光源平均折射至各聚光面，借以获得较佳的亮度表现效果。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发光二极体的结构改良，目的在于提供一种可以让发光二极体提高亮度表现效果的晶片覆层构造。
技术介绍
由于，发光二极体具备有体积小、低耗电、低热度以及寿命长等特性，如圣诞灯饰、手电筒、车辆信号灯、交通标志等商品，已逐渐利用发光二极体替代功能相近的传统钨丝灯泡；又由于，一般发光二极体的基本构造，如图1所示，是在一透明封装体10的内部设有不同极性的导电端20以及一承载部30，其承载部30处是固设有一晶片40，另设有金线50构成晶片40的电极层41与导电端20的连接，而各导电端20并延伸出透明封装体10外部成为电源接点。因此，在导电端20的通电作用下，可经由晶片40所产生的光源形成发光效果，当然亦可在晶片40的周边设有荧光材料60，在晶片40所产生的光源穿过荧光材料60时，即与荧光材料60的波长结合形成预期的光色。于是，在相关制程、制造技术的改良下，发光二极体是可经由荧光材料的设计，而制作成为具特定光色表现效果的发光元件，更使得发光二极体的市场范围急速扩大。然而，就目前的现有技术而言，发光二极体相关技术研发，仍较注重于发光二极体的光色表现效果，以及发光二极体产能的提升，就发光二极体的光度而言，并未见有较为突破的技术。
技术实现思路
本技术发光二极体的晶片覆层构造，主要是在发光二极体的晶片上方覆盖一聚光体，其聚光体是具有突出承载部的聚光部，整体聚光部是围绕有若干聚光面，在晶片的光源通过聚光体时，可由聚光体的介质特性，将晶片的光源平均折射至各聚光面，借以获得较佳的亮度表现效果。本技术提供的技术方案如下一种发光二极体的晶片覆层构造，其发光二极体是设有不同极性的导电端以及一承载部，在承载部处固设有一晶片，并由金线构成晶片的电极层与导电端的连接，该晶片的上方是覆盖一聚光体，该聚光体是具有突出承载部的聚光部，整体聚光部是围绕有若干聚光面，获得一将晶片的光源平均折射至各聚光面的晶片覆层构造。发光二极体的晶片覆层构造，该承载部是为设在其中一导电端上的碗杯状形体，并设有一透明封装体将聚光体、晶片、承载部包覆，各导电端并延伸出透明封装体外部成为电源接点。或者该承载部是为设置在电路板上的凹坑状形体，各导电端是为直接布设在电路板的电路接点，获得一建构在电路板上的发光二极体。附图说明图1为现有技术中发光二极体的结构示意图；图2为本技术第一实施例的发光二极体的结构示意图；图3为本技术第一实施例的聚光体成型模具外观图；图4为本技术第一实施例的模穴外观图；图5为本技术第二实施例的发光二极体的结构示意图；图6为本技术第二实施例的聚光体成型模具外观图；图7为本技术第二实施例的模穴外观图；图8为本技术第三实施例的发光二极体的结构示意图；图9为本技术第四实施例的发光二极体的结构示意图。图号说明10、透明封装体11、透明间隔体 20、导电端30、承载部40、晶片41、电极层50、金线60、荧光材料70、聚光体71、聚光部72、聚光面73、球面80、成型模具81、模穴90、电路板具体实施方式为能使贵审查员清楚本技术的结构组成，以及整体运作方式，兹配合图式说明如下本技术发光二极体的晶片覆层构造，其发光二极体的基本结构组成如图2所示，同样是在一透明封装体10的内部设有不同极性的导电端20以及一承载部30，其承载部30中是设有晶片40，仍由金线50构成晶片40的电极层41与导电端20的连接，各导电瑞20并延伸出透明封装体10外部成为电源接点。在本实施例中，是在承载部30处固设有相关的荧光材料60，其荧光材料60是可由固晶粘着材料混合荧光粉所构成，在制造过程中，是将荧光材料60涂布在晶片40与承载部30之间，而可直接将晶片40粘固在承载部30的底层，并且在荧光材料硬化定型后，构成晶片40底部区段埋入荧光材料60的结构型态；因此，在导电端20的通电作用下，其晶片40所产生的光源在穿过荧光材料60时，即与荧光材料60的波长结合成为预期的光色。至于，本技术的晶片覆层构造乃是在发光二极体的晶片40上方覆盖一聚光体70，其聚光体70是具有突出承载部30的聚光部71，整体聚光部71是围绕有若干聚光面72，在图2的实施例中，聚光体70的聚光部71是呈斜锥状，在具体实施时，是预先制作有如图3所示的成型模具80，其成型模具80是布设有如图4所示的模穴81，在晶片、金线等元件固定的后，将装设有晶片的承载部倒置灌注有环氧树脂的模穴中，由硬化的环氧树脂成为聚光体。据以，在晶片的光源通过聚光体时，如图2所示，可由聚光体70的介质特性，将晶片40的光源平均折射至各聚光面72，借以获得较佳的亮度表现效果；当然，亦可在聚光体70中混入荧光材料，以增加整体发光二极体的光色表现效果，避免生成异色光圈。如图5的实施例所示，其聚光体70的聚光部71亦可以呈伞状，并且在聚光部71的顶端设有一球面73，借以辅助提升聚光效果；而其伞状聚光部71则是由如图6、图7所示的成型模具80及模穴81所成型。此外，前述各实施例是可利用模穴81成型斜锥状或伞状的聚光部，其在成型时，是以承载部30倒置的方式将晶片置入模穴中，因此在晶片上方先行覆盖一透明绝缘胶用以将晶片、金线固定，因此如图8所示，会在聚光体70与晶片40之间形成一由透明绝缘胶所构成的透明间隔体11，以加强对晶片40的防护作用。再者，如图9所示，是为另一形式的发光二极体，其发光二极体是直接建构在电路板90上，其电路板90上是预设有呈凹坑状的承载部30，其晶片40同样是配设在承载部30的底层，于晶片40上方覆盖有透明间隔体11和聚光体70，并且由金线50构成晶片40电极层41与各导电端(图中未表示)的联结，各导电瑞是可以为直接布设在电路板90的电路接点，可获得建构在电路板90上的发光二极体。如上所述，本技术提供发光二极体另一较佳可行的晶片覆层构造，大幅提升发光二极体的亮度表现效果，于是，依法提呈技术专利的申请；然而，以上的实施说明及图式所示，是本技术较佳实施例之一，并非以此局限本技术，因此，凡一切与本技术构造、装置、特征等近似、雷同的，均应属本技术的创设目的及申请专利的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极体的晶片覆层构造，其发光二极体是设有不同极性的导电端以及一承载部，在承载部处固设有一晶片，并由金线构成晶片的电极层与导电端的连接，其特征在于：　　　　该晶片的上方是覆盖一聚光体，该聚光体是具有突出承载部的聚光部，整体聚光部是围绕有若干聚光面，获得一将晶片的光源平均折射至各聚光面的晶片覆层构造。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极体的晶片覆层构造，其发光二极体是设有不同极性的导电端以及一承载部，在承载部处固设有一晶片，并由金线构成晶片的电极层与导电端的连接，其特征在于该晶片的上方是覆盖一聚光体，该聚光体是具有突出承载部的聚光部，整体聚光部是围绕有若干聚光面，获得一将晶片的光源平均折射至各聚光面的晶片覆层构造。2.如权利要求1所述发光二极体的晶片覆层构造，其特征在于该承载部是为设在其中一导电端上的碗杯状形体，并设有一透明封装体将聚光体、晶片、承载部包覆，各导电端并延伸出透明封装体外部成为电源接点。3.如权利要求1所述发光二极体的晶片覆层构造，其特征在于该承载部是为设置在电路板上的凹坑状形体，各导电端是为直接布设在电路板的电路接点，获得一建构在电路板上的发光二极体。4.如权利要求1、2或3所述的发光二极体的晶片覆层构造，其特征在于该聚光体的聚光部是呈斜锥状。5.如权利要求1、2或3所述发光二极体的晶片覆层构造，其特征在于该聚光体的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明顺，孙平如，
申请(专利权)人：李洲科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]