半导体器件制作设备制造技术

一种半导体器件制作设备，包括反应室，用于检测反应室压力的压力计，通过管路与反应室相连的调压装置，所述调压装置与大气环境连通。所述设备可保持反应室内压力的稳定，在制作栅介质层的工艺中，通过控制反应室的压力，提高了形成的栅介质层的厚度均匀性。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体器件制作设备。
技术介绍
半导体制作的主要工艺就是在晶圓内制作若干MOSFET晶体管，而栅介 质层是MOSFET晶体管制作工艺中最重要的工艺之一，直接决定了晶体管的 性能。因此在集成电路制造业中对栅介质层的质量要求很高，例如要求具有 比较薄的栅介质层，而且要求栅介质层的厚度均匀分布。目前栅介质层的制 作方法很多，比如申请号为200610001049.4的中国专利申请给出的栅介质层的 制作方法，目的即在于控制栅介质层的厚度均匀性。随着整个半导体器件的尺寸越来越小，栅介质层的厚度也越做越薄，对 厚度均匀性的要求也越来越高。现有技术中，通常采用炉管(ftimace)设备 制作栅介质层，制作过程需要炉管中保持700摄氏度至950摄氏度的高温，以 及700torr至900torr ( ltorr= 13Pa)的高压状态，形成的栅介质层的厚度通常在 20A至200A。通常情况下，要求栅介质层的厚度变化能够控制在0.5A以下， 最多，不能超过2A。在采用炉管制作栅介质层的工艺中，栅介质层的增长速度与反应室的压 力成正比例，因此，形成的栅介质层的厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件制作设备，其特征在于，包括反应室，用于检测反应室压力的压力计，通过管路与反应室相连的调压装置，所述调压装置与大气环境连通。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件制作设备，其特征在于，包括反应室，用于检测反应室压力的压力计，通过管路与反应室相连的调压装置，所述调压装置与大气环境连通。2. 根据权利要求1所述的半导体器件制作设备，其特征在于，所述压力 计与反应室连通。3. 根据权利要求1所述的半导体器件制作设备，其特征在于，所述压力 计与连接反应室和调压装置的管路连通。4. 根据权利要求1所述的半导体器件制作设备，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁敬秀，陆肇勇，范建国，陆文怡，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]