等离子平板显示器驱动芯片结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种等离子平板显示器驱动芯片结构，适用于等离子平板显示器列选址驱动芯片和等离子平板显示器行扫描驱动芯片，芯片结构包括Ｐ型衬底，在Ｐ型衬底上设有Ｎ型外延层，在Ｎ型外延层上设有高压－Ｐ型横向金属氧化物半导体管、高压－Ｎ型横向金属氧化物半导体管及低压－互补型横向金属氧化物半导体管，在Ｐ型衬底与Ｎ型外延层之间设有Ｎ型重掺杂埋层且高压－Ｐ型横向金属氧化物半导体管、高压－Ｎ型横向金属氧化物半导体管及低压－互补型横向金属氧化物半导体管位于Ｎ型重掺杂埋层的上方，本实用新型专利技术结构，基于外延材料，材料成本上与ＳＯＩ相比具有较大优势，并且国内外延技术比较成熟。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种等离子平板显示器(PDP)驱动芯片结构及其制备方法， 适用于等离子平板显示器列选址驱动芯片和等离子平板显示器行扫描驱动芯片。技术背景等离子平板显示器驱动芯片是由低压逻辑控制实现高压输出。随着显示屏技术 和驱动技术的不断提高，等离子平板显示器驱动芯片具有以下的发展趋势列选址 驱动芯片的工作频率不断提高，集成度不断提高；行扫描驱动芯片的工作电压不断 提高，集成度也不断提高。目前常用的等离子平板显示器驱动芯片结构及制备方法 包括(1)外延工艺结构，集成高压nVDMOS、高压pLDMOS和低压CMOS，采 用深结隔离；(2) SOI工艺结构，集成高压nLDMOS、高压pLDMOS和低压CMOS， 釆用深槽填充二氧化硅的方式隔离；(3)体硅工艺结构，集成高压nLDMOS、高压 pLDMOS和低压CMOS，通过器件PN结自隔离。其中第三种工艺受到器件自身耐 压以及隔离结构限制，不适合100V以上行扫描驱动芯片。前两种工艺虽然都适用 于行扫描驱动芯片和列寻址驱动芯片，但是两种工艺也都有各自的缺点外延工艺 结构隔离结构面积太大，芯片用于隔离的面积超过20%;而SOI工艺结构，虽然本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子平板显示器驱动芯片结构，包括Ｐ型衬底（１），在Ｐ型衬底（１）上设有Ｎ型外延层（８），在Ｎ型外延层（８）上设有高压－Ｐ型横向金属氧化物半导体管（２）、高压－Ｎ型横向金属氧化物半导体管（３）及低压－互补型横向金属氧化物半导体管（４），其特征在于在Ｐ型衬底（１）与Ｎ型外延层（８）之间设有Ｎ型重掺杂埋层（５）且高压－Ｐ型横向金属氧化物半导体管（２）、高压－Ｎ型横向金属氧化物半导体管（３）及低压－互补型横向金属氧化物半导体管（４）位于Ｎ型重掺杂埋层（５）的上方，在高压－Ｐ型横向金属氧化物半导体管（２）与高压－Ｎ型横向金属氧化物半导体管（３）之间设有第一沟槽（６１），在高压－Ｎ型横向金属氧化物半...

【技术特征摘要】
1、一种等离子平板显示器驱动芯片结构，包括P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有N型外延层(8)，在N型外延层(8)上设有高压-P型横向金属氧化物半导体管(2)、高压-N型横向金属氧化物半导体管(3)及低压-互补型横向金属氧化物半导体管(4)，其特征在于在P型衬底(1)与N型外延层(8)之间设有N型重掺杂埋层(5)且高压-P型横向金属氧化物半导体管(2)、高压-N型横向金属氧化物半导体管(3)及低压-互补型横向金属氧化物半导体管(4)位于N型重掺杂埋层(5)的上方，在高压-P型横向金属氧化物半导体管(2)与高压-N型横向金属氧化物半导体管(3)之间设有第一沟槽(61)，在高压-N型横向金属氧化物半导体管(3)与低压-互补型横向金属氧化物半导体管(4)之间设有第二沟槽(62)，在第一沟槽(61)及第二沟槽(62)内填充有二氧化硅(6A)，所述的第一沟槽(61)及第二沟槽(62)始自P型衬底(1)、穿过延伸N型重...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海松，吴虹，孙伟锋，易扬波，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：84[中国|南京]