【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种低温多晶硅(low temperature poly-Si，简称LTPS)薄膜晶体管(thin film transistor，简称TFT)，特别是关于利用两种不同型(type)低温多晶硅低温多晶硅薄膜晶体管所组成的一种互补式金氧半导体(CMOS)及其组合元件。
技术介绍
随着高科技的发展，视频产品，特别是数字化的视频或影像装置已经成为在一般日常生活中所常见的产品。这些数字化的视频或影像装置中，显示器是一个重要元件，以显示相关信息。使用者可由显示器读取信息，或进而控制装置的运作。而近来在薄膜晶体管液晶显示器中有一种利用多晶硅技术所制得的薄膜晶体管，其电子迁移率(mobility)较一般传统的非晶硅(amorphous silicon，简称a-Si)薄膜晶体管技术所得的电子迁移率大得多，因此可使薄膜晶体管元件做得更小，开口率增加(aperture ratio)进而增加显示器亮度，减少功率消耗的功能。另外，由于电子迁移率的增加可以将部份驱动电路随同薄膜晶体管工艺同时制造于玻璃基板上，大幅提升液晶显示面板的特性及可靠度，使得面板制造成本大幅降低...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种互补式金氧半导体，其特征是，包括一第一型薄膜晶体管，包括一第一栅极；一第一岛状多晶硅层，位于该第一栅极下，其中该第一岛状多晶硅层包括一第一通道区，位于该第一栅极正下方；一源极掺杂区，位于该第一栅极的一侧；以及一第一型掺杂区，位于该第一栅极的另一侧，其中该源极掺杂区、该第一通道区与该第一掺杂区沿一第一方向排列配置；一第二型薄膜晶体管，包括一第二栅极；一第二岛状多晶硅层，位于该第二栅极下，其中该第二岛状多晶硅层包括一第二通道区，位于该第二栅极正下方；一第二型掺杂区，位于该第二栅极的一侧；以及一漏极掺杂区，位于该第二栅极的另一侧，其中该第二型掺杂区、该第二通道区与该漏极掺杂区沿该第一方向排列配置，且该第二型掺杂区与该第一型掺杂区沿一第二方向排列配置，该第二方向与该第一方向垂直；一层间介电层，覆盖于该第一型薄膜晶体管及该第二型薄膜晶体管上，该层间介电层具有复数个接触窗洞，以暴露出该第一掺杂区以及该第二掺杂区；一导线，位于该层间介电层上，并通过该些接触窗洞连接该第一掺杂区以及该第二掺杂区，该导线的延伸方向为该第二方向；一源极接触金属，配置在该层间介电层上以及该层间介电层中，且该源极接触金属与该源极掺杂区电性连接；以及一漏极接触金属，配置在该层间介电层上以及该层间介电层中，且该漏极接触金属与该漏极掺杂区电性连接。2.如权利要求1所述的互补式金氧半导体，其特征是，该第一型薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管。3.如权利要求1所述的互补式金氧半导体，其特征是，该第二型薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管。4.如权利要求1所述的互补式金氧半导体，其特征是，该第一型薄膜晶体管包括N型薄膜晶体管。5.如权利要求4所述的互补式金氧半导体，其特征是，该第一岛状多晶硅层更包括一浅掺杂漏极区域，位于该第一通道区与该源极掺杂区之间以及位于该第一通道区与该第一型掺杂区之间。6.如权利要求4所述的互补式金氧半导体，其特征是，该第二型薄膜晶体管包括P型薄膜晶体管。7.如权利要求1所述的互补式金氧半导体，其特征是，该第一型薄膜晶体管包括P型...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡珍仪，孙文堂，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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