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一种互补式金氧半导体，其特征是，包括：　　　　一第一型薄膜晶体管，包括：　　　　一第一栅极；　　　　　一第一岛状多晶硅层，位于该第一栅极下，其中该第一岛状多晶硅层包括：　　　　一第一通道区，位于该第一栅极正下方；　　　　一源极掺杂区，位于该...
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