半导体器件制作设备以及系统技术方案

本实用新型专利技术提供一种半导体器件制作设备，包括反应室；通过连接管与反应室连接的控制阀；恒压室，所述控制阀通过管道与恒压室连通；用于检测反应室压力的压力计；通过管道与恒压室相连的调压装置，所述调压装置与大气环境连通。本实用新型专利技术还提供一种半导体器件制作系统，包括，一个以上的半导体器件制作设备，与所述一个以上的半导体器件制作设备分别连通的恒压室，用于检测恒压室压力的压力计，通过管道与恒压室相连的调压装置，所述调压装置与大气环境连通。所述的半导体器件制作设备以及系统在不改变现有的半导体器件制作设备的基础上，保持反应室内压力的稳定，提高了形成的栅介质层的厚度均匀性。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体器件制作设备。
技术介绍
半导体制作的主要工艺就是在晶圓内制作若干MOSFET晶体管，而栅介 质层是MOSFET晶体管制作工艺中最重要的工艺之一，直接决定了晶体管的 性能。因此在集成电路制造业中对栅介质层的质量要求很高，例如要求具有 比较薄的栅介质层，而且要求栅介质层的厚度均匀分布。目前栅介质层的制 作方法很多，比如申请号为200610001049.4的中国专利申请给出的栅介质层的 制作方法，目的即在于控制栅介质层的厚度均匀性。随着整个半导体器件的尺寸越来越小，栅介质层的厚度也越做越薄，对 厚度均匀性的要求也越来越高。现有技术中，通常采用炉管(fUmace)设备 制作栅介质层，制作过程需要炉管中保持700摄氏度至950摄氏度的高温，以 及700torr至900torr ( ltorr= 13Pa)的高压状态，形成的栅介质层的厚度通常在 20A至200A。通常情况下，要求栅介质层的厚度变化能够控制在0.5A以下， 最多，不能超过2A。在采用炉管制作栅介质层的工艺中，栅介质层的增长速度与反应室的压 力成正比例，因此，形成的栅介质层的厚度也本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件制作设备，包括反应室；通过连接管与反应室连接的控制阀；其特征在于，还包括：恒压室，所述控制阀通过管道与恒压室连通；用于检测反应室压力的压力计；通过管道与恒压室相连的调压装置，所述调压装置与大气环境连通。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件制作设备，包括反应室；通过连接管与反应室连接的控制阀；其特征在于，还包括恒压室，所述控制阀通过管道与恒压室连通；用于检测反应室压力的压力计；通过管道与恒压室相连的调压装置，所述调压装置与大气环境连通。2. 根据权利要求1所述的半导体器件制作设备，其特征在于，所述压力 计与恒压室连通。3. 根据权利要求1所述的半导体器件制作设备，其特征在于，所述压力 计与连接恒压室和调压装置的管道连通。4. 根据权利要求1所述的半导体器件制作设备，其特征在于，所述的压 力计包括压力信号传感器，感应反应室的压力；与压力信号传感器连接的 压力信号发射装置，用于接收压力信号传感器感受到的压力信号并发出所述 压力信号。5. 根据权利要求1所述的半导体器件制作设备，其特征在于，所述的调 压装置包括压力信号接收装置，接收从压力计传送来的压力数值，控制装 置，判断压力信号接收装置接收到的压力数值，向调节阀下达调整的指令； 调节阀，根据指令，自动调整开合状态。6. —种半导体器件制作系统，其特征在于，包括， 一个以上的半导体器 件制作设备，与...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁敬秀，陆肇勇，范建国，陆文怡，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]