具挠性缓冲导热下压座体的半导体构件测试机台制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具挠性缓冲导热下压座体的半导体构件测试机台，藉由以一导热能力尚佳的挠性导热材料作为缓冲，搭配导热良好的本体，共同构成一下压座体，挠性缓冲地吸收待测半导体构件的制造工差，确保座体的导热接触面可以有效抵压迫紧于待测半导体构件顶面；同时将半导体构件在被通电量测时产生的热能传导携出，从而以简单的结构保持待测半导体构件的操作环境温度不致过高。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体构件测试机台，尤其是一种具挠 性缓冲导热下压座体的半导体构件测试机台。
技术介绍
半导体组件日趋集积化，单一组件内整合的电路日益复杂， 耗电量与发热量大幅攀升。且一旦操作环境的温度超过约摄氏120度以上，不仅硅芯片本身的材质可能受损，负责将半导体组 件电性连结至电路板的焊锡也将到达融点而熔融，从而造成半 导体组件与电路板间导通问题及电路板污染等麻烦。因此，无论在主机板、影像显示卡、或其它需采用高效能 半导体组件的处所，多如图1所示，在半导体组件10顶面涂布 一层导热胶14，供黏贴设置-散热鳍片16，甚至更进一步于散 热鳍片上增设一散热风扇18，藉以将半导体组件10产生的热量 经散热鳍片16传导及空气对流而导出，以免累积于半导体组件 10上而导致损坏。此外，如图2以覆晶封装为例，由于高效能的半导体组件 10动辄具有数百组作为连接脚位的凸块100，各凸块100之间 距相当细微，需利用一较精密的电路板12做为桥梁，以其顶面 122各接垫对应于半导体组件IO底面的各凸块100，并经由该 电路板12的布线，在电路板12底面124形成空间上更分散的 对应锡球120，供一一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具挠性缓冲导热下压座体的半导体构件测试机台，其特征是，该半导体构件具有一顶面及复数相反于该顶面设置的接触部，该测试机台包含：　　　　一载台，该载台包括一测试电路板及一安装于该测试电路板上用以承载、并电性连接该接触部的具复数电极的连接器；　　　　一挠性缓冲导热下压座体，该挠性缓冲导热下压座体具有一供抵接该半导体构件的导热接触面；　　　　一致动装置，该致动装置用以驱动该挠性缓冲导热下压座体相对该载台移动，致使该挠性缓冲导热下压座体在一远离该载台的启动位置、与该挠性缓冲导热下压座体被下压形变且该导热接触面被迫紧于该半导体构件顶面之一导热接触位置间移动。

【技术特征摘要】
1、一种具挠性缓冲导热下压座体的半导体构件测试机台，其特征是，该半导体构件具有一顶面及复数相反于该顶面设置的接触部，该测试机台包含一载台，该载台包括一测试电路板及一安装于该测试电路板上用以承载、并电性连接该接触部的具复数电极的连接器；一挠性缓冲导热下压座体，该挠性缓冲导热下压座体具有一供抵接该半导体构件的导热接触面；一致动装置，该致动装置用以驱动该挠性缓冲导热下压座体相对该载台移动，致使该挠性缓冲导热下压座体在一远离该载台的启动位置、与该挠性缓冲导热下压座体被下压形变且该导热接触面被迫紧于该半导体构件顶面之一导热接触位置间移动。2、 根据权利要求1所述的具烧性缓冲导热下压座体的半导 体构件测试机台，其特征是，该挠性缓冲导热下压座体具一本 体及供微调弥补该挠性缓冲导热下压座体本体与该半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：许良宇，
申请(专利权)人：中茂电子深圳有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]