在半导体功率元件的半导体薄片边缘上开环形槽的方法技术

一种在功率半导体元件的半导体薄片（５）边缘上开环形槽（８）的方法，该方法首先将边缘表面磨削，然后用边缘制成相应轮廓线的成形砂轮（３）一次操作开出槽（８）。采用粒度适度、结合方式适当的金刚砂粒制成的金刚砂轮可以获得高生产率。（*该技术在2007年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于半导体功率元件的制造，特别是关于，其中环形槽是靠机械方法磨削在半导体薄片上的。在半导体功率元件的制造工艺中，设环形槽作为具高阻断能力的对称闸流晶体管的半导体薄片边缘轮廓的作法是长时间所周知的事了。为了在大量生产中开这类槽，迄今提出了各种各样的方法。因此，举例说，从西德专利DE-AS1，439，215中可以知道用适当的酸或喷砂法在半导体薄片上刻蚀或磨削沟槽的作法。在该同一个专利公布中指出了这样一点，即无需更多的细节措施，也可采用砂轮之类的纯机械方法开这类槽。西德公开专利1，764，326更详细介绍了这类机械方法及其应用，该专利在连续磨削操作中采用了各种不同等级厚度的磨丝或磨板。但实际上，实践证明，用机械方法切除半导体材料，特别需要极其复杂的加工操作(如西德公开专利1，764，326所示的那样)，否则效果就不好，因为半导体薄片对机械加工是极为敏感的。因此，过去在大量生产带槽形边缘轮廓的半导体功率元件时，只能采用上面提到的喷砂法。然而，喷砂法，特别是在半导体薄片的厚度增大时，具有下列很大的缺点-加工时间随着薄片厚度的增加而大幅度延长。甚至在1100微米厚度的情况下，也已达到能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在半导体功率元件的半导体薄片（５）边缘上开环形槽（８）的方法，该方法是靠机械磨削将槽刻在半导体薄片（５）上的，其特征在于：甲）首先，表面磨献半导体薄片（５）的边缘；乙）然后，采用边缘相应制成一定轮廓的成形砂轮（３）一次操作磨削出 沟槽。

【技术特征摘要】
CH 1986-10-22 4212/86-51.一种在半导体功率元件的半导体薄片(5)边缘上开环形槽(8)的方法，该方法是靠机械磨削将槽刻在半导体薄片(5)上的，其特征在于甲)首先，表面磨削半导体薄片(5)的边缘；乙)然后，采用边缘相应制成一定轮廓的成形砂轮(3)一次操作磨削出沟槽。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在磨削半导体薄片(5)表面的过程中，甲)第一步先用粗磨砂轮(1)磨除多余的半导体材料，乙)第二步再用精磨砂轮(2)精磨已形成的边缘表面。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，甲)全部磨削操作均使用金刚石砂轮;且乙)在磨削操作过程中采用加有防锈剂的水作为冷却剂。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，甲)粗磨砂轮(1)和成形砂轮(3)的金刚砂粒以金属结合剂结合;乙)将精磨砂轮(2)的金刚砂粒嵌入合成结合剂中。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉里德劳希，奥托库恩，安德烈亚斯鲁格，
申请(专利权)人：BBC勃朗勃威力有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]