电子器件及其制造方法技术

在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分。使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述层部分。形成绝缘层的方法如下：在有导电层或半导体层部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例中，使有机树脂漫延到层部分上面。然后，从衬底那一侧对有机树脂层曝光，并进行显影和热处理等工艺，最后形成上述绝缘层。（*该技术在2007年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子器件，该器件具有带绝缘表面的一个衬底和一个层部分，这个层部分包括在该衬底上制有图形的地方形成的导电层或者半导体层。本专利技术还涉及这种电子器件的制造方法。迄至今日，人们曾经提出过各种各样的电子器件，器件中有带绝缘表面的一个衬底和一个层部分，这个层部分包括在衬底上制有图形的地方形成的导电层或半导体层。所形成的层部分，例如，可以是一个作为互相连接的导电层部分。另一种情况是当导电的或半导电材料形成的层部分用做电阻层时，这些层部分是用所希望的具有一定电阻率的导电的或半导电层的材料形成的。再一种情况是这个层部分由重叠层部分构成，在这个结构中，有一个第一导电层用做第一电极，是具有一个PN结或一个PIN结的非单晶半导体层部分，还有第二导电层用做第二电极，叠加在第一电极上，叠加的次序是要使该器件形成一种非线性元件，在正的和负的电压区上其电压-电流特性是二极管特性。还有另一种情况是层部分用叠层部分构成，其结构是第一导电层做为第一电极，是具有一个NIN，NP-N，PIP，PN-P，NIPIN，NP-PP-N，PINIP或PN-NN-P结的非单晶半导体层，和第二导电层做为第二电极重叠在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件包括：一个具有绝缘表面的衬底；一个制有图形的层部分在上述衬底上形成；其中，上述层部分的结构是：（ａ）一个第一导电层，用做第一电极，（ｂ）一个非单晶半导体层部分，（ｃ）一个第二导电层，用做第二电极，并与上述 各层依次重叠；上述电子器件的特征在于：上述层部分用一个绝缘层环绕，该绝缘层是在上述衬底上形成的，并与上述层部分的侧面相接触，但并不漫延到上述层部分的顶部表面上；上述绝缘层的厚度基本上与上述层部分的厚度相同。

【技术特征摘要】
1.一种电子器件包括一个具有绝缘表面的衬底；一个制有图形的层部分在上述衬底上形成；其中，上述层部分的结构是(a)一个第一导电层，用做第一电极，(b)一个非单晶半导体层部分，(c)一个第二导电层，用做第二电极，并与上述各层依次重叠；上述电子器件的特征在于上述层部分用一个绝缘层环绕，该绝缘层是在上述衬底上形成的，并与上述层部分的侧面相接触，但并不漫延到上述层部分的顶部表面上；上述绝缘层的厚度基本上与上述层部分的厚度相同。2.根据权利要求1所述的一种电子器件，其中，上述层部分中的非单晶半导体层部分至少有P(或N)-I-N(或P)，N-I(或P-)-NP-I(或N-)-P，N-I(或P-)-P-I(或P-)-N，P-I(或N-)-N-I(或N-)-P结中的一个。3.根据权利要求1所述的一种电子器件，还包括一个导电层部分漫延到绝缘层上，并与上述层部分中的第二导电层相接触。4.一种电子器件包括一个具有绝缘表面的透光衬底;一个层部件在上述衬底上形成，该层部分具有制成图形的导电层或半导电层;上述电子器件的特征在于其中，上述层部分用一个绝缘层环绕，该绝缘层是在衬底上形成的并与上述层部分的侧面相接触，但并不漫延到上述层部件的顶部表面;以及该绝缘层的厚度基本上与上述层部分的厚度相同并且是用聚酰亚胺有机树脂形成的。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：间濑晃，小沼利光，坂间光范，犬岛乔，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]