【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种带有至少在半导体基片内延伸的Pn结的半导体元件，Pn结由从半导体基片的主面来渗入的，横向限定的高掺杂区和包围高掺杂区的低掺杂区构成，并在高掺杂区的边缘移到半导体基片的主晶面，在那里，保护区构成高掺杂区的边缘，掺杂浓度以与主面平行方向由高掺杂区向Pn结慢慢降低。高反向电压半导体元件在移到半导体基片表面的反向Pn结区内，需要采用专门的措施以保护半导体元件的反向电阻与正向电阻之比。因为没有这样一些措施则表面击穿在受反向电压限制的体积击穿之前早就发生，致使半导体元件的耐压强度迅速下降。由“避免半导体二极管边缘效应的方法”，P.A.Tove，J.Phys.DAppl.Phys，15(1982)一文所述发现，迄今为止已经有许多各种这类的措施公知了，所有这些措施的目的是，使移到表面的反向Pn结区产生的最大的电场强度尽可能大的降低，以便使体积击穿尽可能在表面击穿之前发生。现有的措施可以大致分为两类，第一类包括预先规定表面的外形(研磨周边形状，蚀刻沟道)，第二类是，在完全没有缺陷的表面情况时基于合适的内掺杂结构。就具有显微结构的半导体元件而言，或者说就集成M...
【技术保护点】
半导体元件，至少有一个在半导体基片（１）内延伸的Ｐｎ结（５），Ｐｎ结（ａ）由半导体基片（１）的主面（２）渗入的、横向限定的高掺杂区（３）和包围高掺杂区（３）的低掺杂区构成，并（ｂ）在高掺杂区（３）的边缘移到半导体基片（１）的主面（２ ），（ｃ）高掺杂区（３）的边缘由保护区（６ａ，６ｂ）构成，其掺杂浓度，在与主面（２）的平行方向，从高掺杂区（３）对着Ｐｎ结（５）慢慢下降，其特征在于，（ｄ）邻近高掺杂区（３）的保护区（６ａ，６ｂ）有最大的渗入深度，和（ｅ）保护区 （６ａ，６ｂ）的最大渗入深度大于相邻的高掺杂区（３）的渗入深度。
【技术特征摘要】
CH 1987-10-15 4050/87-11.半导体元件，至少有一个在半导体基片(1)内延伸的Pn结(5)，Pn结(a)由半导体基片(1)的主面(2)渗入的、横向限定的高掺杂区(3)和包围高掺杂区(3)的低掺杂区构成，并(b)在高掺杂区(3)的边缘移到半导体基片(1)的主面(2)，(c)高掺杂区(3)的边缘由保护区(6a，6b)构成，其掺杂浓度，在与主面(2)的平行方向，从高掺杂区(3)对着Pn结(5)慢慢下降，其特征在于，(d)邻近高掺杂区(3)的保护区(6a，6b)有最大的渗入深度，和(e)保护区(6a、6b)的最大渗入深度大于相邻的高掺杂区(3)的渗入深度。2.按照权利要求1的半导体元件，其特征在于，a)；で a，6b)有最大掺杂浓度，其值原则上不超过1015厘米-3，b)保护区(6a，6b)的宽度(b)与低掺杂区的厚度(d)相同，和c)保护区(6a，6b)的最大渗入深度不小于40微米不大于80微米。3.按照权利要求2的半导体元件，其特征在于，保护区(6a，6b)的掺杂浓度在与主面(2)平行的方向呈近似线性下降。4.按照权利要求2的半导体元件，其特征在于，保护区(6a，6b)的掺杂浓度在与主面(2)平行的方向呈阶梯形下降，并至少由两级台阶构成。5.按照权利要求4的半导体元件，其特征在于，由正好是两级台阶构成的保护区(6a，6b)中，第二级台阶(8)的掺杂浓度是邻近高掺杂区(3)的第一级台阶(7)的掺杂浓度的大约一半。6.按照权利要求3的半导体元件的制造方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯琴C阿巴斯，彼得罗格威勒，
申请(专利权)人：BBC勃朗勃威力有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]
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