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在一个半导体元件中，由从半导体基片（１）的主面（２）渗入的横向限定的高掺杂区（３）和包围高掺杂区的低掺杂区构成的ｐｎ结，ｐｎ结在半导体基片（１）的主面（２）上，在高掺杂区（３）的边缘露出。高掺杂区（３）的边缘由保护区（６ｂ）构成，其掺杂浓度...该专利属于BBC勃朗.勃威力有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过BBC勃朗.勃威力有限公司授权不得商用。
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