可控功率半导体元件制造技术

在一具有顺次为ｐ型发射极层（９），ｎ型基极层（８）、ｐ型基极层（７）和ｎ型发射极层（５）的ｐｎｐｎ层结构的可控功率半导体元件中，在截止期间上升的关键的增强电场由于中间层（１１）的缘故而减小，中间层（１１）ｎ型掺杂浓度比ｎ型基极层（８）的掺杂浓度高，并且它是插在ｎ型基极层（８）与ｐ型基极层（７）之间。（*该技术在2009年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率电子学领域，更具体地说涉及这样一种可控功率半导体元件，它包括(1)一阳极、一阴极和一栅极;(2)在阳极与阴极之间依次有p型发射极层、n型基极层，p型基极层和n型发射极层;以及(3)在阴极一侧的一栅-阴极结构。例如从由V.A.K.Temple所写的一篇文章(美国电气及电子工程师学会电子器件学报，ED-33卷1986年第10期，第1609-1618页)这种类型的元件称为MOS-可控闸流晶体管(MCT)，或者，例如从EP-A2-0241662中被称为栅控截止闸流晶体管(GTO)。目前现代功率电子学要求可由简单的手段控制达到最高功率范围的快速半导体元件。对于低功率范围和中等的功率来说，迄今已经证明，功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)由于其在控制电极的大输入阻抗因而是特别适用的。但是，正如已知那样，较高的可转换的功率只能用双极结构(双极结晶体管，闸流晶体管)来实现。尽管如此，在限于简单，特别是低功率的控制场合，如用功率MOSFET来控制，被认为是理想的做法。双极和MOS结构的有建设性的结合方面首先是以IGBT(绝缘栅极双极晶体管)的形式结合起来的。如预期那本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可控功率半导体元件，它包括：（１）一阳极（Ａ），一阴极（Ｋ）和一栅极；（２）在阳极（Ａ）与阴极（Ｋ）之间的顺次由ｐ型发射极层（９）、ｎ型基极层（８）、ｐ型基极层（７）和ｎ型发射极层（５）组成的一层；以及（３）在阴极（Ｋ）一侧 的一栅横线阴极结构；其特征在于：（４）在ｎ型基极层（８）与ｐ型基极层（７）之间设置了一层ｎ－掺杂的中间层（１１）；并且（５）中间层（１１）的掺杂浓度（Ｃ）高于ｎ型基极层的掺杂浓度。

【技术特征摘要】
DE 1988-9-22 P3832208.01.一种可控功率半导体元件，它包括(1)一阳极(A)，一阴极(K)和一栅极；(2)在阳极(A)与阴极(K)之间的顺次由p型发射极层(9)、n型基极层(8)、p型基极层(7)和n型发射极层(5)组成的一层；以及(3)在阴极(K)一侧的一栅横线阴极结构；其特征在于(4)在n型基极层(8)与p型基极层(7)之间设置了一层n-掺杂的中间层(11)；并且(5)中间层(11)的掺杂浓度(C)高于n型基极层的掺杂浓度。2.如权利要求1所述的截止功率半导体元件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗里德赫尔姆包尔，霍斯特格伦宁，
申请(专利权)人：亚瑞亚勃朗勃威力有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]