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在一具有顺次为ｐ型发射极层（９），ｎ型基极层（８）、ｐ型基极层（７）和ｎ型发射极层（５）的ｐｎｐｎ层结构的可控功率半导体元件中，在截止期间上升的关键的增强电场由于中间层（１１）的缘故而减小，中间层（１１）ｎ型掺杂浓度比ｎ型基极层（８）的掺杂...该专利属于亚瑞亚.勃朗勃威力有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过亚瑞亚.勃朗勃威力有限公司授权不得商用。
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